[发明专利]具有模制通孔的堆叠半导体封装及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201711162896.3 申请日: 2017-11-21
公开(公告)号: CN108878414B 公开(公告)日: 2021-07-06
发明(设计)人: 李尙垠;李炯东;高银 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: H01L25/18 分类号: H01L25/18;H01L23/31;H01L21/98
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;刘久亮
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 模制通孔 堆叠 半导体 封装 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种堆叠半导体封装,该堆叠半导体封装包括:

第一半导体芯片,该第一半导体芯片具有第一有源表面,在所述第一有源表面的上方布置有包括周边键合焊盘和中心键合焊盘的第一键合焊盘;

第一包封构件,该第一包封构件形成在所述第一半导体芯片的至少第一侧表面的上方;

两个第二半导体芯片,所述两个第二半导体芯片具有第二有源表面,在所述第二有源表面上方与所述第一半导体芯片相邻的侧周边处布置有第二键合焊盘,并且所述两个第二半导体芯片被设置成彼此分离,使得所述第二有源表面面对所述第一有源表面,并且所述第二键合焊盘与所述周边键合焊盘交叠;

第一联接构件,该第一联接构件插置在所述第一半导体芯片的所述周边键合焊盘和所述第二半导体芯片的所述第二键合焊盘之间;

第二包封构件,该第二包封构件形成在所述第二半导体芯片的第二侧表面上方,该第二包封构件包括所述第二半导体芯片之间的区域;以及

模制通孔,该模制通孔通过所述第二包封构件的在所述第二半导体芯片之间的所述区域中的一部分形成并且与所述中心键合焊盘联接,

其中,所述第一包封构件具有与所述第一半导体芯片的所述第一有源表面共面的第一前表面和与所述第一半导体芯片的背离所述第一有源表面的第一表面共面的第一后表面,并且

其中,所述第二包封构件具有与所述第一包封构件接触的第二前表面和与所述第二半导体芯片的背离所述第二有源表面的第二表面共面的第二后表面。

2.根据权利要求1所述的堆叠半导体封装,其中,所述第一半导体芯片包括逻辑芯片,并且所述第二半导体芯片包括存储器芯片。

3.根据权利要求1所述的堆叠半导体封装,其中,所述第二包封构件被形成为与所述第一半导体芯片和所述第一包封构件接触。

4.根据权利要求1所述的堆叠半导体封装,所述堆叠半导体封装还包括:

凸块焊盘,该凸块焊盘形成在模制通孔的设置于所述第二包封构件的所述第二后表面处的部分的下方;

虚设焊盘,该虚设焊盘形成在所述第二半导体芯片的所述第二表面的下方;

第二联接构件,该第二联接构件形成在所述凸块焊盘的下方;以及

支撑构件,该支撑构件形成在所述虚设焊盘的下方。

5.根据权利要求4所述的堆叠半导体封装,所述堆叠半导体封装还包括:

基板,该基板被设置成面对所述第二半导体芯片的所述第二表面和所述第二包封构件的所述第二后表面,并且具有顶表面和底表面,在所述顶表面的上方布置有与所述第二联接构件电联接的键合指状物,在所述底表面的下方布置有与所述键合指状物电联接的电极端子。

6.根据权利要求5所述的堆叠半导体封装,所述堆叠半导体封装还包括:

第三包封构件,该第三包封构件形成在所述基板的所述顶表面的上方,以覆盖所述第一包封构件和所述第二包封构件的侧表面并且填充所述第二半导体芯片和所述基板的所述顶表面之间的空间以及所述第二包封构件和所述基板的所述顶表面之间的空间;以及

外部联接构件,该外部联接构件形成在所述电极端子的下方。

7.根据权利要求5所述的堆叠半导体封装,所述堆叠半导体封装还包括:

底部填充物,该底部填充物被形成为填充所述第二半导体芯片的所述第二表面和所述基板的所述顶表面之间的空间、所述第二包封构件的所述第二后表面和所述基板的所述顶表面之间的空间;以及

外部联接构件,该外部联接构件形成在所述电极端子的下方。

8.根据权利要求1所述的堆叠半导体封装,所述堆叠半导体封装还包括:

重新分配层,该重新分配层形成在所述第二半导体芯片的所述第二表面、所述第二包封构件的所述第二后表面和所述模制通孔的下方。

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