[发明专利]半导体元件及半导体单元阵列

说明书

一种半导体元件，包括多鳍有源区、单鳍有源区、及在多鳍有源区与单鳍有源区之间的隔离特征。多鳍有源区包括第一群鳍、平行于第一群鳍的第二群鳍、设置在第一群鳍上方的第一n型场效晶体管、设置在第二群鳍上方的第一p型场效晶体管。单鳍有源区邻接多鳍有源区。单鳍有源区包括第一鳍、与第一鳍不同的第二鳍、设置在第一鳍上方的第二n型场效晶体管、及设置在第二鳍上方的第二p型场效晶体管。

技术领域

本揭露是关于一种鳍式半导体元件及半导体单元阵列。

背景技术

半导体集成电路(IC)工业已经历指数增长。IC材料及设计的技术进展已产生数代IC，其中各代与前代相比具有更小且更复杂的电路。此按比例缩小制程一般通过增加生产效率并降低相关成本提供利益，但其亦增加处理及制造IC的复杂性。

例如，鳍式场效晶体管(FinFET)已成为用于设计高效能电路系统的普遍选择。尽管FinFET的狭窄鳍宽有助于获得短通道控制，其源极/漏极(S/D)特征趋于具有用于低接触电阻的源极/漏极触点的小着陆区(landing)。提出了用于高速应用的具有多个鳍的FinFET、或多鳍FET。然而，当与具有单个鳍的FinFET相比时，多鳍FET经受较高泄漏并且因此较高功率消耗。

由此，期望用以获得高切换速度及低功率消耗两者的半导体元件的改良。

发明内容

在一些实施例中，半导体元件包括多鳍有源区、单鳍有源区、以及在多鳍有源区与单鳍有源区之间的隔离特征。多鳍有源区包括第一群鳍、平行于第一群鳍的第二群鳍、第一n型场效晶体管、第一p型场效晶体管。第一n型场效晶体管包括设置在第一群鳍上方的第一栅极结构以及在第一栅极结构的任一侧面上的多个第一源极/漏极触点。源极/漏极触点的各者设置在第一群鳍上方。第一p型场效晶体管包括设置在第二群鳍上方的第一栅极结构以及在第一栅极结构的任一侧面上的多个第二源极/漏极触点。源极/漏极触点的各者设置在第二群鳍上方。单鳍有源区邻接多鳍有源区。单鳍有源区包括第一鳍、与第一鳍不同的第二鳍、第二n型场效晶体管、及第二p型场效晶体管。第二n型场效晶体管包括设置在第一鳍上方的第二栅极结构以及在第二栅极结构的任一侧面上的多个第三源极/漏极触点。第三源极/漏极触点的各者设置在第一鳍上方。第二p型场效晶体管包括设置在第二鳍上方的第二栅极结构以及在第二栅极结构的任一侧面上的多个第四源极/漏极触点。第四源极/漏极触点的各者经设置在第二鳍上方。隔离特征平行于第一栅极结构及第二栅极结构。

在一些实施例中，半导体元件包括双鳍有源区、邻接双鳍有源区的单鳍有源区、及在双鳍有源区与单鳍有源区之间的隔离特征。双鳍有源区包括第一对鳍、平行于第一对鳍的第二对鳍、第一n型场效晶体管、第一p型场效晶体管。第一n型场效晶体管包括设置在第一对鳍上方的第一栅极结构及在第一栅极结构的任一侧面上的多个第一源极/漏极触点，第一源极/漏极触点的各者设置在第一对鳍上方，第一p型场效晶体管包括设置在第二对鳍上方的第一栅极结构及在第一栅极结构的任一侧面上的多个第二源极/漏极触点，第二源极/漏极触点的各者设置在第二对鳍上方。单鳍有源区包括第一鳍、与第一鳍不同的第二鳍、第二n型场效晶体管、第二p型场效晶体管。第二n型场效晶体管包括设置在第一鳍上方的第二栅极结构及在第二栅极结构的任一侧面上的多个第三源极/漏极触点，第三源极/漏极触点的各者设置在第一鳍上方。第二p型场效晶体管包括设置在第二鳍上方的第二栅极结构及在第二栅极结构的任一侧面上的多个第四源极/漏极触点，第四源极/漏极触点的各者设置在第二鳍上方。半导体元件包括在双鳍有源区与单鳍有源区之间的隔离特征，隔离特征平行于第一及第二栅极结构。