[发明专利]半导体元件及半导体单元阵列

权利要求书

1.一种半导体元件，其特征在于，包含：

一多鳍有源区，包括：

一第一群鳍；

一第二群鳍，该第二群鳍平行于该第一群鳍；

一第一n型场效晶体管，该第一n型场效晶体管包括设置在该第一群鳍上方的一第一栅极结构及在该第一栅极结构的任一侧面上的多个第一源极/漏极触点，所述第一源极/漏极触点分别设置在该第一群鳍上方；

一第一p型场效晶体管，该第一p型场效晶体管包括设置在该第二群鳍上方的该第一栅极结构及在该第一栅极结构的任一侧面上的多个第二源极/漏极触点，所述第二源极/漏极触点分别设置在该第二群鳍上方；

一单鳍有源区，邻接该多鳍有源区，该单鳍有源区包括：

一第一鳍，

一第二鳍，该第二鳍与该第一鳍不同，

一第二n型场效晶体管，该第二n型场效晶体管包括设置在该第一鳍上方的一第二栅极结构及在该第二栅极结构的任一侧面上的多个第三源极/漏极触点，所述第三源极/漏极触点分别设置在该第一鳍上方，

一第二p型场效晶体管，该第二p型场效晶体管包括设置在该第二鳍上方的该第二栅极结构及在该第二栅极结构的任一侧面上的多个第四源极/漏极触点，所述第四源极/漏极触点分别设置在该第二鳍上方；以及

一隔离特征，该隔离特征在该多鳍有源区与该单鳍有源区之间，该隔离特征平行于所述第一栅极结构及所述第二栅极结构。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述半导体元件的所述第一鳍与所述第一群鳍的其中一个对准，所述第二鳍与所述第二群鳍的其中一个对准。

3.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述半导体元件的所述隔离特征包括一虚拟介电栅极。

4.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述半导体元件的所述隔离特征包括一鳍切口区域。

5.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述半导体元件的所述隔离特征包括一隔离p型场效晶体管及一隔离n型场效晶体管，所述隔离p型场效晶体管包括电气连接至Vdd线的一栅极，所述隔离n型场效晶体管包括电气连接至Vss线的一栅极。

6.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述半导体元件的所述第一源极/漏极触点及所述第二源极/漏极触点包括远离所述单鳍有源区的一第一组源极/漏极触点及靠近所述单鳍有源区的一第二组源极/漏极触点，所述第一组源极/漏极触点的各者具有平行于所述第一栅极结构的一第一长度，所述第二组源极/漏极触点的各者具有平行于所述第一栅极结构的一第二长度，所述第一长度大于所述第二长度，所述半导体元件的所述第三源极/漏极触点及所述第四源极/漏极触点包括靠近所述多鳍有源区的一第三组源极/漏极触点及远离所述多鳍有源区的一第四组源极/漏极触点，所述第三组源极/漏极触点的各者具有平行于所述第二栅极结构的一第三长度，所述第四组源极/漏极触点的各者具有平行于所述第二栅极结构的一第四长度，所述第三长度小于所述第二长度。

7.如权利要求6所述的半导体元件，其特征在于，所述第一长度是所述第二长度的至少1.5倍，所述第一群鳍包含两个以上鳍，所述第二群鳍包含两个以上鳍，并且所述第二长度与所述第三长度的比率在2与4之间。

8.如权利要求6所述的半导体元件，其特征在于，所述第三组源极/漏极触点的各者具有平行于所述第一鳍的一第一宽度，所述第四组源极/漏极触点的各者具有平行于所述第一鳍的一第二宽度，所述第一宽度大于所述第二宽度。