[发明专利]制备碳纳米管薄膜的方法有效
申请号: | 201711161568.1 | 申请日: | 2017-11-21 |
公开(公告)号: | CN109809391B | 公开(公告)日: | 2020-12-29 |
发明(设计)人: | 韩杰 | 申请(专利权)人: | 北京华碳元芯电子科技有限责任公司 |
主分类号: | C01B32/168 | 分类号: | C01B32/168;C03C17/22 |
代理公司: | 北京庚致知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11807 | 代理人: | 李伟波;韩德凯 |
地址: | 100086 北京市海淀区中*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制备 纳米 薄膜 方法 | ||
提供了一种制备碳纳米管薄膜的方法,其包括:将基底放置在处于第一温度的碳纳米管溶液中;使用有机溶液对基底进行清洗;以及使经过清洗的基底变干,以得到形成在基底的表面上的碳纳米管薄膜。
技术领域
本公开涉及碳纳米管的技术领域,具体涉及一种制备碳纳米管薄膜的方法。
背景技术
碳纳米管在透明导电膜、传感器和集成电路等领域具有巨大的应用价值,并且碳纳米管在这些领域的应用几乎都需要在碳纳米管薄膜上实现。然而,相关技术中制备碳纳米管薄膜的方法一次只能制备一片碳纳米管薄膜,不能实现批量制备的目的。此外,相关技术中制备碳纳米管薄膜的方法还存在制备时间长(例如12个小时)和制备的碳纳米管薄膜厚度不够均匀等问题。
发明内容
本公开提供了一种制备碳纳米管薄膜的方法,其包括:将基底放置在处于第一温度的碳纳米管溶液中;
使用有机溶液对基底进行清洗;以及
使经过清洗的基底变干,以得到形成在基底的表面上的碳纳米管薄膜。
根据本公开的至少一个实施方式,第一温度低于碳纳米管溶液的沸点。
根据本公开的至少一个实施方式,将基底放置在处于第一温度的碳纳米管溶液中的步骤还包括:将基底放置在处于第一温度的碳纳米管溶液中10分钟至600分钟。
根据本公开的至少一个实施方式,第一温度为65摄氏度。
根据本公开的至少一个实施方式,使用有机溶液对基底进行清洗的步骤包括:按照极性由低到高的顺序使用多个有机溶液对基底进行清洗。
根据本公开的至少一个实施方式,使用多个有机溶液对基底进行清洗的步骤包括:使用多个有机溶液中的每个清洗基底至少5分钟。
根据本公开的至少一个实施方式,多个有机溶液包括:甲苯溶液、四氢呋喃溶液和丙酮溶液。
根据本公开的至少一个实施方式,基底包括二氧化硅基底、蓝宝石基底、石英基底或塑料基底。
根据本公开的至少一个实施方式,使经过清洗的基底变干的步骤包括:使用氮气将经过清洗的基底吹干。
根据本公开的至少一个实施方式,碳纳米管溶液包括碳纳米管分散液,碳纳米管分散液是通过将碳纳米管分散在水或有机溶剂中形成的。
附图说明
附图示出了本公开的示例性实施方式,并与其说明一起用于解释本公开的原理,其中包括了这些附图以提供对本公开的进一步理解,并且附图包括在本说明书中并构成本说明书的一部分。
图1示意性示出了根据本公开实施方式的制备碳纳米管薄膜的方法的流程图;
图2示出了二氧化硅晶元放置在碳纳米管溶液中的示意图;以及
图3示出了使用有机溶液清洗二氧化硅晶元的示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本公开作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅用于解释相关内容,而非对本公开的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本公开相关的部分。
需要说明的是,在不冲突的情况下,本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本公开。
图1示意性示出了根据本公开实施方式的制备碳纳米管薄膜的方法的流程图。如图1所示,根据本公开实施方式的制备碳纳米管薄膜的方法包括:
S1,将基底放置在处于第一温度的碳纳米管溶液中;
S2,使用有机溶液对基底进行清洗;以及
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