[发明专利]一种防止热传导的晶圆吸附装置

说明书

本发明属于半导体生产制造领域，具体地说是一种防止热传导的晶圆吸附装置，承片台的上表面分别设有内密封环及外密封环，内、外密封环之间形成环形的真空腔，内密封环的内部为常压腔；真空腔内设置有承片凸台，并在真空腔内的承片台上开设有真空孔；常压腔内的承片台上分别开有示教孔及常压腔排气孔；承片台下部的吸盘颈的内孔中设有环状凸台，电机轴由吸盘颈的内孔插入、仅与环状凸台连接，电机轴上开设有电机轴中空孔，真空孔的一端与真空腔相连通，另一端与电机轴中空孔相连通；晶圆放置在承片台上，由承片凸台及内、外密封环支撑，常压腔排气孔的一端与常压腔相连通，另一端与承片台下部的大气相连通。本发明可以有效避免由电机高速旋转带来的晶圆温度变化。

技术领域

本发明属于半导体生产制造领域，具体地说是一种防止热传导的晶圆吸附装置，可应用于匀胶、显影、去胶、蚀刻等需要真空吸附晶圆，再由电机带动晶圆旋转的晶圆加工设备中。

背景技术

在芯片制造的过程中，晶圆及其表面的化学品在反应过程中，对温度变化的响应极其敏感。传统的吸附装置，电机轴高速旋转产生温度直接向上传导至中心附近的承片台，再通过承片台传导至晶圆，被加工晶圆的温度分布为中间热、径向递减；由于温度不均匀，因为会导致晶圆加工出现问题。

发明内容

为了解决由于温度不均匀而导致的晶圆加工问题，本发明的目的在于提供一种防止热传导的晶圆吸附装置。

本发明的目的是通过以下技术方案来实现的：

本发明包括承载晶圆的承片台，该承片台与电机的电机轴相连，通过所述电机驱动带动晶圆旋转；所述承片台的上表面分别设有内密封环及外密封环，该内、外密封环之间形成环形的真空腔，所述内密封环的内部为常压腔；所述真空腔内设置有承片凸台，并在真空腔内的承片台上开设有真空孔；所述常压腔内的承片台上分别开有示教孔及常压腔排气孔；所述承片台下部的吸盘颈的内孔中设有环状凸台，所述电机轴由吸盘颈的内孔插入、仅与所述环状凸台连接，该电机轴上开设有电机轴中空孔，所述真空孔的一端与真空腔相连通，另一端与所述电机轴中空孔相连通；所述晶圆放置在承片台上，由所述承片凸台及内、外密封环支撑，所述常压腔排气孔的一端与常压腔相连通，另一端与所述承片台下部的大气相连通；

其中：所述真空孔为多个，沿所述真空腔的圆周方向均布，各所述真空孔均为斜向真空孔，即各所述真空孔的轴向中心线与所述电机轴中空孔的轴向中心线倾斜相交；

所述吸盘颈的内孔孔壁上沿径向向内延伸、形成所述环状凸台，除该环状凸台外的孔壁其他部分均与所述电机轴之间形成非接触的空腔；

所述承片凸台为多个环形、呈同心圆布置，每个环形的承片凸台沿圆周方向均开设有多个豁口，所述真空孔的一端开设在该豁口处；各所述承片凸台的圆心与所述内、外密封环的圆心以及承片台上部的圆心同心设置；

所述承片凸台及内、外密封环的高度相等；所述常压腔排气孔的轴向中心线与电机轴中空孔的轴向中心线平行。

本发明的优点与积极效果为：

1.本发明可以有效避免由电机高速旋转带来的晶圆温度变化。

2.本发明与电机轴配合的部分结构简单，无需进行电机的特殊设计即可通配。

3.本发明相对于传统晶圆吸附装置，减少了接触面积，可以减少对晶圆的污染。

附图说明

图1为本发明的轴测图；

图2为本发明真空吸附晶圆时的剖面图；

图3为图2的局部放大图；

其中：1为内密封环，2为外密封环，3为常压腔排气孔，4为承片凸台，5为真空孔，6为示教孔，7为吸盘颈，8为电机轴，9为晶圆，10为真空腔，11为常压腔，12为环状凸台，13为电机轴中空孔，14为空腔，15为承片台。

具体实施方式