[发明专利]一种防止热传导的晶圆吸附装置有效
申请号: | 201711159915.7 | 申请日: | 2017-11-20 |
公开(公告)号: | CN109817560B | 公开(公告)日: | 2021-05-04 |
发明(设计)人: | 王若愚 | 申请(专利权)人: | 沈阳芯源微电子设备股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人: | 白振宇 |
地址: | 110168 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 防止 热传导 吸附 装置 | ||
1.一种防止热传导的晶圆吸附装置,包括承载晶圆的承片台,该承片台与电机的电机轴相连,通过所述电机驱动带动晶圆旋转;其特征在于:所述承片台(15)的上表面分别设有内密封环(1)及外密封环(2),该内、外密封环(1、2)之间形成环形的真空腔(10),所述内密封环(1)的内部为常压腔(11);所述真空腔(10)内设置有承片凸台(4),并在真空腔(10)内的承片台(15)上开设有真空孔(5);所述常压腔(11)内的承片台(15)上分别开有示教孔(6)及常压腔排气孔(3);所述承片台(15)下部的吸盘颈(7)的内孔中设有环状凸台(12),所述电机轴(8)由吸盘颈(7)的内孔插入、仅与所述环状凸台(12)连接,该电机轴(8)上开设有电机轴中空孔(13),所述真空孔(5)的一端与真空腔(10)相连通,另一端与所述电机轴中空孔(13)相连通;所述晶圆(9)放置在承片台(15)上,由所述承片凸台(4)及内、外密封环(1、2)支撑,所述常压腔排气孔(3)的一端与常压腔(11)相连通,另一端与所述承片台(15)下部的大气相连通;
所述吸盘颈(7)的内孔孔壁上沿径向向内延伸、形成所述环状凸台(12),除该环状凸台(12)外的孔壁其他部分均与所述电机轴(8)之间形成非接触的空腔(14)。
2.根据权利要求1所述防止热传导的晶圆吸附装置,其特征在于:所述真空孔(5)为多个,沿所述真空腔(10)的圆周方向均布,各所述真空孔(5)均为斜向真空孔,即各所述真空孔(5)的轴向中心线与所述电机轴中空孔(13)的轴向中心线倾斜相交。
3.根据权利要求1所述防止热传导的晶圆吸附装置,其特征在于:所述承片凸台(4)为多个环形、呈同心圆布置,每个环形的承片凸台(4)沿圆周方向均开设有多个豁口,所述真空孔(5)的一端开设在该豁口处。
4.根据权利要求3所述防止热传导的晶圆吸附装置,其特征在于:各所述承片凸台(4)的圆心与所述内、外密封环(1、2)的圆心以及承片台(15)上部的圆心同心设置。
5.根据权利要求1所述防止热传导的晶圆吸附装置,其特征在于:所述承片凸台(4)及内、外密封环(1、2)的高度相等。
6.根据权利要求1所述防止热传导的晶圆吸附装置,其特征在于:所述常压腔排气孔(3)的轴向中心线与电机轴中空孔(13)的轴向中心线平行。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造