[发明专利]取像模组及其制造方法在审
申请号: | 201711158624.6 | 申请日: | 2017-11-20 |
公开(公告)号: | CN108735765A | 公开(公告)日: | 2018-11-02 |
发明(设计)人: | 游国良 | 申请(专利权)人: | 金佶科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G06K9/00 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 隆翔鹰 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 线路层 贯孔 基板 取像模组 导电柱 第一表面 发光元件 感测元件 线路基板 第二表面 电性连接 制造 | ||
1.一种取像模组,其特征在于,所述取像模组包括:
发光元件;
感测元件;以及
线路基板,所述线路基板包括基板、多个导电柱、第一线路层以及第二线路层,其中所述基板具有第一贯孔、第二贯孔以及多个第三贯孔,所述发光元件设置在所述第一贯孔中,所述感测元件设置在所述第二贯孔中,所述多个导电柱设置在所述多个第三贯孔中,所述第一线路层设置在所述基板的第一表面上,所述第二线路层设置在所述基板与所述第一表面相对的第二表面上,且所述第二线路层通过所述多个导电柱而电性连接至所述第一线路层。
2.根据权利要求1所述的取像模组,其特征在于,所述基板为多层板。
3.根据权利要求1所述的取像模组,其特征在于,所述发光元件的发光面与所述第二表面位于同一平面上。
4.根据权利要求1所述的取像模组,其特征在于,所述感测元件的感测面与所述第二表面位于同一平面上。
5.根据权利要求1所述的取像模组,其特征在于,所述取像模组还包括:
第一黏着层,所述第一黏着层设置在所述第一贯孔中,且所述发光元件通过所述第一黏着层而固定在所述基板的所述第一贯孔中。
6.根据权利要求1所述的取像模组,其特征在于,所述取像模组还包括:
第二黏着层,所述第二黏着层设置在所述第二贯孔中,且所述感测元件通过所述第二黏着层而固定在所述基板的所述第二贯孔中。
7.根据权利要求1所述的取像模组,其特征在于,所述发光元件的导电垫以及发光面位于所述发光元件的同一侧且邻近所述第二表面设置,且所述发光元件通过所述第二线路层以及所述多个导电柱中的第一导电柱而电性连接至所述第一线路层,所述感测元件的导电垫以及感测面位于所述感测元件的同一侧且邻近所述第二表面设置,且所述感测元件通过所述第二线路层以及所述多个导电柱中的第二导电柱而电性连接至所述第一线路层。
8.根据权利要求1所述的取像模组,其特征在于,所述取像模组还包括:
透光保护层,所述透光保护层设置在所述第二表面上且覆盖所述发光元件、所述感测元件以及所述第二线路层。
9.根据权利要求1所述的取像模组,其特征在于,所述基板还具有第四贯孔,且所述取像模组还包括:
微控制器,所述微控制器设置在所述第四贯孔中。
10.根据权利要求9所述的取像模组,其特征在于,所述微控制器的厚度等于所述基板的厚度。
11.一种取像模组的制造方法,其特征在于,所述取像模组的制造方法包括:
在基板中形成第一贯孔、第二贯孔以及贯穿所述基板的多个导电柱;
将发光元件设置在所述第一贯孔中;
将感测元件设置在所述第二贯孔中;
在所述基板的第一表面上形成第一线路层;以及
在所述基板与所述第一表面相对的第二表面上形成第二线路层,其中所述第二线路层通过所述多个导电柱而电性连接至所述第一线路层。
12.根据权利要求11所述的取像模组的制造方法,其特征在于,在将所述发光元件设置在所述第一贯孔中之前,所述取像模组的制造方法还包括:
使所述发光元件的厚度等于所述基板的厚度。
13.根据权利要求11所述的取像模组的制造方法,其特征在于,在将所述感测元件设置在所述第二贯孔中之前,所述取像模组的制造方法还包括:
使所述感测元件的厚度等于所述基板的厚度。
14.根据权利要求11所述的取像模组的制造方法,其特征在于,将所述发光元件设置在所述第一贯孔中的方法包括通过第一黏着层将所述发光元件固定在所述基板的所述第一贯孔中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的