[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置

说明书

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置。所述阵列基板的制作方法包括：在基底上的预设半导体去除区形成能够在图形化处理过程中被腐蚀液腐蚀的形态转化层；在所述基底上形成半导体层，以使所述半导体层覆盖所述形态转化层。本发明提供的方案在有效清除刻蚀过程中残留的半导体晶粒的同时，能够降低耗能成本及对设备的损伤。

【技术领域】

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置。

【背景技术】

氧化铟锡(Indium Tin Oxide，简称透明氧化物半导体)薄膜是宽禁带半导体材料，具有高电导率和可见光范围的高透射率(在可见光范围内的平均穿透率可超过90％)，被广泛应用到光电器件中。透明氧化物半导体薄膜的制备方法有很多，如喷涂、蒸发、射频溅射和磁控溅射等。随着显示技术的高精细化和大型化的发展，磁控溅射法备受欢迎。但过长的沉积时间会导致基板温度升高，进而导致透明氧化物半导体发生局部的结晶现象。透明氧化物半导体根据结晶的状况可以分为非晶透明氧化物半导体与多晶透明氧化物半导体，多晶透明氧化物半导体由于晶粒较大，形成的薄膜透过率和导电性能相应较高，但多晶透明氧化物半导体常使用氯化系的刻蚀液进行刻蚀，对设备的损伤大，并且在沉积过程中需要400多度的高温进行沉积，成膜设备耗能成本也大。

TFT工艺中的透明氧化物半导体图形化过程中，发生透明氧化物半导体局部结晶现象，残留的微小透明氧化物半导体晶粒很难在随后的透明氧化物半导体湿法刻蚀工艺中除去，进而导致像素内部的电路短路，引起面板出现亮点缺陷，大面积的透明氧化物半导体残留，会造成多个亮点连成一片，无法显示。

【发明内容】

本发明的目的旨在提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置，以使半导体去除区的形态转化层被腐蚀液腐蚀，进而连带形态转化层之上的半导体层脱离基底，从而解决半导体刻蚀过程中出现的半导体结晶残留的问题。

为实现该目的，本发明提供了一种阵列基板的制作方法，包括：在基底上的预设半导体去除区形成在图形化处理过程中能够被腐蚀液腐蚀的形态转化层；

在所述基底上形成半导体层，以使所述半导体层覆盖所述形态转化层。

具体地，在所述基底上形成半导体层的步骤之后，还包括：

对半导体层进行图形化曝光、腐蚀工艺。

具体地，在预设的半导体去除区形成能够在图形化处理过程中被腐蚀液腐蚀的形态转化层的步骤，包括：

在基底上形成形态转化层；

对该形态转化层上的非所述预设半导体去除区所对应的部分进行刻蚀处理，以使该形态转化层仅在所述预设半导体去除区所对应的区域保留。

具体地，所述对该形态转化层上的非所述预设半导体去除区所对应的部分进行刻蚀处理的过程，包括：

在预设半导体去除区对应的形态转化层上覆盖防刻蚀层。

具体地，在预设半导体去除区对应的形态转化层上覆盖防刻蚀层的步骤之后，还包括：去除所述防刻蚀层。

具体地，对半导体层进行图形化曝光、腐蚀工艺的步骤之前，还包括：在非所述预设半导体去除区所对应的半导体层上覆盖防腐蚀层。

优选地，所述形态转化层包括能与腐蚀液反应的金属或负性光刻胶。

优选地，所述腐蚀液包括：刻蚀液和/或剥离液。

具体地，对半导体层进行腐蚀工艺的过程，包括：

在非预设半导体去除区对应的半导体层上覆盖防腐蚀层；

将所述非预设半导体去除区覆盖有防腐蚀层的基板置于腐蚀液中，以使所述预设半导体去除区所对应区域的形态转化层被腐蚀液腐蚀。