[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置有效
| 申请号： | 201711157110.9 | 申请日： | 2017-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN107910299B | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 丁远奎;袁广才;赵策;周斌;成军;刘兆范;胡迎宾;黄勇潮 | 申请（专利权）人： | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 刘延喜 |
| 地址： | 230011 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制作方法 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
在基底上的预设半导体去除区形成能够在图形化处理过程中被腐蚀液腐蚀的形态转化层；
在所述基底上形成半导体层，以使所述半导体层覆盖所述形态转化层；
对半导体层进行图形化曝光、腐蚀工艺，所述腐蚀工艺包括刻蚀、剥离工艺，所述腐蚀液包括刻蚀液和/或剥离液。
2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在预设的半导体去除区形成能够在图形化处理过程中被腐蚀液腐蚀的形态转化层的步骤，包括：
在基底上形成形态转化层；
对该形态转化层上的非所述预设半导体去除区所对应的部分进行刻蚀处理，以使该形态转化层仅在所述预设半导体去除区所对应的区域保留。
3.根据权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述对该形态转化层上的非所述预设半导体去除区所对应的部分进行刻蚀处理的过程，包括：
在预设半导体去除区对应的形态转化层上覆盖防刻蚀层。
4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，在预设半导体去除区对应的形态转化层上覆盖防刻蚀层的步骤之后，还包括：去除所述防刻蚀层。
5.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，对半导体层进行图形化曝光、腐蚀工艺的步骤之前，还包括：
在非所述预设半导体去除区所对应的半导体层上覆盖防腐蚀层。
6.根据权利要求1或2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述形态转化层包括能与腐蚀液反应的金属或负性光刻胶。
7.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，对半导体层进行腐蚀工艺的过程，包括：
在非预设半导体去除区对应的半导体层上覆盖防腐蚀层；
将所述非预设半导体去除区覆盖有防腐蚀层的基板置于腐蚀液中，以使所述预设半导体去除区所对应区域的形态转化层被腐蚀液腐蚀。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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