[发明专利]柔性显示面板及制作方法在审
申请号: | 201711156838.X | 申请日: | 2017-11-20 |
公开(公告)号: | CN107731885A | 公开(公告)日: | 2018-02-23 |
发明(设计)人: | 郑颖 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司44202 | 代理人: | 郝传鑫,熊永强 |
地址: | 430070 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 柔性 显示 面板 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种柔性显示面板及柔性显示面板的制作方法。
背景技术
相对于传统的平板液晶显示,柔性显示采用可弯曲的柔性基板来取代厚而坚硬的玻璃基板。柔性显示,即在柔性材料制作的基板表面制作器件。以柔性有源矩阵有机发光二极体(AMLOED)为例,其制作过程通常是在硬质基板表面先制备或吸附柔性基板,继而进行器件制备,最后再将柔性基板从硬质基板上剥离。
一般的,此柔性基板的剥离方式是采用激光烧蚀的方式进行的,即在聚合物柔性基板和硬质玻璃基底的界面施加高强度的激光,通过界面层的聚合物吸收激光的大量能量后烧蚀界面层,实现柔性基板与玻璃基底的剥离。虽然这种方式可以实现量产,但是激光的高能量可能引起柔性膜及器件的损坏。
发明内容
本发明的目的在于提供一种柔性显示面板及柔性显示面板的制作方法,达到了不会损伤柔性基板,提高了柔性显示面板的生产良率的技术效果。
本发明提供了一种柔性显示面板的制作方法,包括:
在玻璃基底的第一表面上形成剥离层;
在所述剥离层表面以及位于所述剥离层两侧的所述玻璃基底的第一表面上形成覆盖所述剥离层的柔性基板;
在所述柔性基板上依次形成器件层及封装层;
沿着所述剥离层相对两侧侧面所在的平面切割依次层叠设置的所述玻璃基底、所述柔性基板、所述器件层以及所述封装层以形成柔性显示面板基体;
去除所述剥离层以使所述玻璃基底与所述柔性基板分离以形成所述柔性显示面板。
其中,所述去除所述剥离层以使所述玻璃基底与所述柔性基板分离以形成所述柔性显示面板的步骤包括:
对切割后的所述玻璃基底的与所述第一表面相对的第二表面进行曝光,以使所述剥离层发生分解;
将粘结有所述剥离层的所述柔性显示面板基体置于显影液中,以使所述柔性基板因所述剥离层发生溶解与所述玻璃基底分离。
其中,所述去除所述剥离层以使所述玻璃基底与所述柔性基板分离以形成所述柔性显示面板的步骤包括:将磁铁置于切割后的所述玻璃基底的与所述第一表面相对的第二表面,以使所述剥离层吸附于所述玻璃基底的所述第一表面,进而使所述玻璃基底与所述柔性基板分离。
其中,所述剥离层的材料包括正性光刻胶,所述正性光刻胶为感光树脂、增感剂和溶剂组成的对光敏感的混合溶液。
其中,所述剥离层的材料包括磁性材料,所述磁性材料为磁性四氧化三铁。
其中,所述磁性四氧化三铁通过共沉淀法、溶胶-凝胶法、微乳液法以及水热法的一种合成。
其中,在玻璃基底的第一表面上形成剥离层的步骤包括:对所述玻璃基底进行预处理,清除所述玻璃基底上的杂质及有机物,以及在玻璃基底的第一表面上形成剥离层。
其中,所述器件层的器件包括薄膜晶体管以及有机发光二极管。
其中,对切割后所述玻璃基底的与所述第一表面相对的第二表面进行曝光,以使所述剥离层发生分解的步骤包括:利用紫外光对所述玻璃基底的所述第二表面进行曝光。
本发明提供一种柔性显示面板,由上述柔性显示面板的制作方法制作而成。
综上所述,本发明柔性显示面板的制作方法,可使柔性基板容易与玻璃基底分离,不会损伤柔性基板,提高了柔性显示面板的生产良率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例一提供的的柔性显示面板的制作方法流程示意图。
图2是图1中的柔性显示面板制作方法的形成剥离层的示意图。
图3是图1中的柔性显示面板制作方法的形成柔性基板的示意图。
图4是图1中的柔性显示面板制作方法的形成器件层及封装层的示意图。
图5是图1中的柔性显示面板制作方法的形成柔性显示面板基体的示意图。
图6是图1中的柔性显示面板制作方法的对玻璃基底第二表面曝光的示意图。
图7是图1中的柔性显示面板制作方法的将粘结有玻璃基底的柔性显示面板置于显影液的示意图。
图8是本发明实施例一提供的柔性显示面板的结构示意图,其中包括了玻璃基底。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的