[发明专利]交叉点阵列型相变存储器件及驱动其的方法

说明书

一种相变存储器件可以包括交叉点阵列和感测电路块。交叉点阵列可以包括多个字线、多个位线和相变存储单元。字线和位线可以彼此交叉。相变存储单元位于字线与位线之间的交叉点处。感测电路块读取相变存储单元中的数据。感测电路块可以包括第一感测单元和第二感测单元。第一感测单元使用第一电压来感测数据。当由第一感测单元读取的相变存储单元中的数据被确定为异常时，第二感测单元使用可以比相变存储单元的阈值电压高的第二电压来感测数据。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年11月21日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2016-0154985的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

各种实施例总体而言涉及一种相变存储器件及驱动其的方法，更具体地，涉及一种交叉点阵列型相变存储器件以及驱动该交叉点阵列型相变存储器件的方法。

背景技术

相变存储器件可以使用硫族化物材料作为储存介质。相变存储器件中的硫族化物材料可以通过施加电流或电压而转变成非晶相和晶相。非晶相可以是重置相，而晶相可以是设置相。

相变存储器件可以包括多个字线、与字线重叠的多个位线以及布置在字线与位线之间的交叉点处的选择元件和储存元件。

储存元件可以写入数据。读取电流可以被施加到储存元件以读取数据。

然而，当施加读取电流时，读取电流可以包括非预定瞬态电流，使得存储单元中的信息可能被改变。此外，在相邻的线中可能会产生串扰。

发明内容

根据一个实施例，可以提供一种相变存储器件。相变存储器件可以包括交叉点阵列和感测电路块。交叉点阵列可以包括多个字线、多个位线以及相变存储单元。字线和位线可以彼此交叉。相变存储单元可以位于字线与位线之间的交叉点处。感测电路块可以被配置为读取相变存储单元中的数据。感测电路块可以包括第一感测单元和第二感测单元。第一感测单元可以被配置为使用第一电压来感测数据。第二感测单元可以被配置为：当在由第一感测单元读取的相变存储单元中的数据被确定为异常时，使用可以比相变存储单元的阈值电压高的第二电压来感测数据。

根据一个实施例，可以提供一种驱动相变存储器件的方法。在驱动相变存储器件的方法中，相变存储器件可以包括交叉点阵列。交叉点阵列可以包括多个字线、多个位线以及相变存储单元。字线和位线可以彼此交叉。相变存储单元可以位于字线与位线之间的交叉点处。通过读取命令，可以使用第一电压来感测相变存储单元中的数据，该第一电压可以不大于相变存储单元的阈值电压。感测数据可以被确定为正常或异常。当感测数据被确定为异常时，可以使用比阈值电压高的第二电压来感测相变存储单元中的数据。

根据一个实施例，可以提供一种存储器件。存储器件包括包含多个存储单元的存储单元阵列。存储器件包括：第一感测电路，其被配置为：使用比存储单元的阈值电压小的第一电压来感测选中的存储单元的数据；以及第二感测电路，其被配置为：如果选中的存储单元的感测数据具有错误，则使用比阈值电压高的第二电压来感测选中的存储单元的数据。此外，存储器件包括：控制器，其被配置为决定第一感测电路和第二感测电路的操作。控制器被配置为：如果选中的存储单元的数据被第二感测电路改变，则向选中的存储单元提供重写命令。

附图说明

图1是示出根据示例性实施例的相变存储器件的框图；

图2是示出根据示例性实施例的相变存储器件的电流-电压特性的曲线图；

图3是示出使用图2中的第一电压来感测数据的过程的示意图；

图4是示出使用图2中的第二电压来感测数据的过程的示意图；

图5是示出图1中的感测电路块的电路图；

图6是示出驱动根据示例性实施例的相变存储器件的方法的流程图；