[发明专利]交叉点阵列型相变存储器件及驱动其的方法

权利要求书

1.一种相变存储器件，包括：

交叉点单元阵列，其包括多个字线、布置在字线上以与字线彼此交叉的多个位线以及布置在字线与位线之间的交叉点处的相变存储单元；以及

感测电路块，其被配置为读取相变存储单元中的数据，所述感测电路块包括：

第一感测单元，其用于使用第一电压来执行数据感测操作，在第一电压处所述数据不被改变；

第二感测单元，其用于：当由第一感测单元读取的相变存储单元中的数据中产生了错误时，使用改变相变存储单元的数据状态的第二电压来执行数据感测操作；以及

控制器，其包括纠错码ECC块，ECC块被配置为判断第一感测单元中是否产生了错误以及当错误在可校正的范围内时校正所述错误，

其中，控制器被配置为：当相变存储单元的数据被第二感测单元改变时，向相变存储单元提供重写命令，以及

其中，当被第一感测单元读取的数据无法被ECC块恢复时，第二感测单元操作。

2.根据权利要求1所述的相变存储器件，其中，第一感测单元和第二感测单元电连接在全局位线与位线之间，全局位线电耦接至控制器。

3.根据权利要求2所述的相变存储器件，还包括：

第一开关，其连接在控制器与第一感测单元之间；以及

第二开关，其连接在第一感测单元与第二感测单元之间。

4.根据权利要求3所述的相变存储器件，其中，第一开关和第二开关被配置为执行第一感测单元和第二感测单元的选择性驱动。

5.根据权利要求1所述的相变存储器件，其中，感测电路块还包括参考电流发生单元，参考电流发生单元被配置为复制被输入到待读取的相变存储单元中的电流并且向第一感测单元和第二感测单元提供参考电流。

6.根据权利要求5所述的相变存储器件，其中，第一感测单元包括感测放大器电路，感测放大器电路被配置为将第一电压与提供给参考电流发生单元的电压进行比较。

7.根据权利要求5所述的相变存储器件，其中，第二感测单元包括：

电容器，其被配置为用从参考电流发生单元提供的电压充电；以及

感测放大器电路，其被配置为将第二电压与电容器中被充电的电压进行比较。

8.根据权利要求7所述的相变存储器件，其中，电容器被配置为在第一感测单元操作时用进入相变存储单元中的瞬态电流充电。

9.根据权利要求5所述的相变存储器件，其中，参考电流发生单元还包括控制晶体管，控制晶体管被配置为响应于控制信号而被驱动以选择性地驱动第一感测单元和第二感测单元。

10.一种驱动交叉点阵列型相变存储器件的方法，所述交叉点阵列型相变存储器件包括多个字线、与字线交叉的多个位线以及布置在字线与位线之间的交叉点处的相变存储单元，所述方法包括：

根据读取命令使用不大于阈值电压的第一电压来首次感测相变存储单元中的数据，其中，感测数据的状态不被首次感测改变；

判断感测数据是否正常以及感测数据是否被ECC块恢复；

当感测数据异常且首次感测数据未被ECC块恢复时，使用比阈值电压高的第二电压来二次感测相变存储单元中的数据，其中数据的状态被二次感测改变，以及

当相变存储单元中的数据的状态被二次感测改变时，在相变存储单元中重写正常数据。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括将由第二电压感测到的数据储存在ECC块中。

12.根据权利要求10所述的方法，还包括当感测数据正常和感测数据被ECC块恢复时，结束对相变存储单元中的数据的感测。