[发明专利]具有高孔径比的大面积超高密度平板显示器有效
申请号: | 201711156608.3 | 申请日: | 2017-11-20 |
公开(公告)号: | CN108091672B | 公开(公告)日: | 2021-09-28 |
发明(设计)人: | 朴恩智;吴吉焕;李基炯 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09G3/3225 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 孔径 大面积 超高 密度 平板 显示器 | ||
本公开涉及一种具有高孔径比的大面积超高密度平板显示器。本公开提供一种平板显示器,该平板显示器包括:驱动电流线和感测线,其在基板上沿第一方向设置;扫描线和感测选通线,其在所述基板上沿第二方向设置;水平电流线,其沿所述第二方向被设置在所述扫描线的上侧并且连接到所述驱动电流线;水平感测线,其沿所述第二方向被设置在所述感测选通线的下侧并且连接到所述感测线;公共电流线,其从所述水平电流线伸出并与所述扫描线交叉;以及第一像素区域和第二像素区域,其被设置在所述驱动电流线与所述感测线之间并且被设置为具有基于所述公共电流线彼此双对称的形状。
技术领域
本公开涉及具有高孔径比的大面积超高密度平板显示器。具体地,本公开涉及一种其中线路负载被降低或最小化的具有优异视频质量的大面积超高密度有机发光二极管显示器。
背景技术
目前,开发了各种平板显示器(或“FPD”)以用于克服笨重且庞大的阴极射线管(或“CRT”)的许多缺点。平板显示装置包括液晶显示装置(或“LCD”)、场发射显示器(FED)、等离子体显示面板(或“PDP”)、电致发光装置(或“EL”)等。
作为自发光显示装置,电致发光装置具有响应速度非常快、亮度非常高且视角大的优点。电致发光装置可分为无机发光二极管显示器和有机发光二极管显示器。由于具有良好的能量效率、较低的漏电流以及通过电流控制来呈现颜色和亮度的容易性,所以更需要使用有机发光二极管的有机发光二极管显示器(或“OLED”)。
图1是例示有机发光二极管的结构的图。如图1所示,有机发光二极管包括有机发光材料层以及彼此面对且有机发光材料层位于其间的阴极和阳极。有机发光材料层包括空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、发光层EML、电子传输层ETL和电子注入层EIL。有机发光二极管由于在空穴和电子在发光层EML处复合的激发态下形成的激子的能量而发光。
有机发光二极管由于在来自阳极的空穴和来自阴极的电子在发光层EML处复合的激发态下形成的激子的能量而发光。如图1所示,有机发光二极管显示器可通过控制从有机发光二极管的发光层ELM产生并辐射的光的量(或“亮度”)来呈现视频数据。
使用具有良好能量效率的有机发光二极管的OLED可分为无源矩阵型有机发光二极管显示器(或PMOLED)和有源矩阵型有机发光二极管显示器(或AMOLED)。
有源矩阵型有机发光二极管显示器(或AMOLED)通过使用薄膜晶体管(或TFT)来控制施加到有机发光二极管的电流来显示视频数据。在下文中,参照图2和图3,我们将说明根据相关技术的有机发光二极管显示器。
图2是例示有源矩阵有机发光二极管显示器(或AMOLED)中的一个像素的结构的示例性电路图。图3是例示根据相关技术的AMOLED的结构的平面图。图4是用于例示根据相关技术的底部发光型AMOLED的结构的沿着切割线I-I'的截面图。
参照图2和图3,有源矩阵有机发光二极管显示器包括开关薄膜晶体管ST、连接到开关薄膜晶体管ST的驱动薄膜晶体管DT以及连接到驱动薄膜晶体管DT的有机发光二极管OLE。通过将扫描线SL、数据线DL和驱动电流线VDD沉积在基板上来限定像素区域。由于有机发光二极管设置在像素区域内,所以它限定了发光区域。
开关薄膜晶体管ST形成在扫描线SL和数据线DL交叉的位置。开关薄膜晶体管ST用于选择连接到开关薄膜晶体管ST的像素。开关薄膜晶体管ST包括从扫描线SL伸出的栅极SG、与栅极SG交叠的半导体沟道层SA、源极SS和漏极SD。驱动薄膜晶体管DT用于驱动设置在由开关薄膜晶体管ST选择的像素处的有机发光二极管OLE的阳极ANO。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于乐金显示有限公司,未经乐金显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711156608.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的