[发明专利]具有高孔径比的大面积超高密度平板显示器有效
申请号: | 201711156608.3 | 申请日: | 2017-11-20 |
公开(公告)号: | CN108091672B | 公开(公告)日: | 2021-09-28 |
发明(设计)人: | 朴恩智;吴吉焕;李基炯 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09G3/3225 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 孔径 大面积 超高 密度 平板 显示器 | ||
1.一种平板显示器,该平板显示器包括:
驱动电流线和感测线,所述驱动电流线和所述感测线在基板上沿第一方向设置,所述感测线被配置为将初始电压提供至像素电路中的感测节点或者用于检测所述感测节点处的电压或电流;
扫描线和感测选通线,所述扫描线和所述感测选通线在所述基板上沿第二方向设置;
水平电流线,所述水平电流线沿所述第二方向被设置在所述扫描线的上侧并且连接到所述驱动电流线;
水平感测线,所述水平感测线沿所述第二方向被设置在所述感测选通线的下侧并且连接到所述感测线;
公共电流线,所述公共电流线从所述水平电流线伸出并且与所述扫描线交叉;
第一像素区域和第二像素区域,所述第一像素区域和所述第二像素区域被设置在所述驱动电流线与所述感测线之间并且被设置为具有基于所述公共电流线彼此双对称的形状,
开关薄膜晶体管,所述开关薄膜晶体管与所述扫描线交叠;
驱动薄膜晶体管,所述驱动薄膜晶体管被设置在所述扫描线与所述感测选通线之间并且连接到所述开关薄膜晶体管;以及
感测薄膜晶体管,所述感测薄膜晶体管与所述感测选通线交叠。
2.根据权利要求1所述的平板显示器,其中,所述开关薄膜晶体管包括:
开关源极,所述开关源极从数据线伸出;
开关漏极,所述开关漏极基于所述扫描线与所述开关源极面对;以及
开关半导体层,所述开关半导体层与所述扫描线交叉,其中,所述开关半导体层的一端连接到所述开关源极,而所述开关半导体层的另一端连接到所述开关漏极。
3.根据权利要求2所述的平板显示器,其中,所述驱动薄膜晶体管包括:
驱动源极,所述驱动源极从所述公共电流线伸出;
驱动栅极,所述驱动栅极连接到所述开关漏极;
驱动漏极,所述驱动漏极基于所述驱动栅极与所述驱动源极面对;以及
驱动半导体层,所述驱动半导体层与所述驱动栅极交叉,其中,所述驱动半导体层的一端连接到所述驱动源极,而所述驱动半导体层的另一端连接到所述驱动漏极。
4.根据权利要求3所述的平板显示器,其中,所述感测薄膜晶体管包括:
感测源极,所述感测源极从所述水平感测线伸出;
感测漏极,所述感测漏极基于所述感测选通线与所述感测源极面对并且连接到所述驱动漏极;以及
感测半导体层,所述感测半导体层与所述感测选通线交叉,其中,所述感测半导体层的一端连接到所述感测源极,而所述感测半导体层的另一端连接到所述感测漏极。
5.根据权利要求1所述的平板显示器,该平板显示器还包括:
阳极,所述阳极连接到所述驱动薄膜晶体管并且被设置在所述第一像素区域内;
堤,所述堤限定所述阳极内的发光区域;
有机发光层,所述有机发光层被设置在所述发光区域上;以及
阴极,所述阴极被设置在所述有机发光层上。
6.根据权利要求1所述的平板显示器,该平板显示器还包括:
第三像素区域和第四像素区域,所述第三像素区域和所述第四像素区域被设置为具有基于所述感测线与所述第一像素区域和所述第二像素区域双对称的形状。
7.根据权利要求6所述的平板显示器,其中,
红色像素被分配在所述第一像素区域,
白色像素被分配在所述第二像素区域,
绿色像素被分配在所述第三像素区域,并且
蓝色像素被分配在所述第四像素区域。
8.根据权利要求6所述的平板显示器,其中,所述公共电流线包括:
第一公共电流线,所述第一公共电流线向所述第一像素区域和所述第二像素区域提供驱动电流;以及
第二公共电流线,所述第二公共电流线向所述第三像素区域和所述第四像素区域提供驱动电流。
9.根据权利要求8所述的平板显示器,其中,所述第一公共电流线和所述第二公共电流线在包括所述第一像素区域、所述第二像素区域、所述第三像素区域和所述第四像素区域的单元像素区域内与所述扫描线交叠。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于乐金显示有限公司,未经乐金显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711156608.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的