[发明专利]基板处理装置、反应管以及半导体装置的制造方法

说明书

本发明涉及基板处理装置、反应管以及半导体装置的制造方法，尤其提供增大晶圆面内的气体流速的结构。提供具备反应管的结构，该反应管构成对基板进行处理的处理室，且具有：气体导入部，其设置在反应管下部，并导入处理气体；缓冲部，其构成反应管侧面的一端，使处理气体暂时滞留并且设置有向处理室供给处理气体的开口部；连结部，其设置在气体导入部与缓冲部之间，并从气体导入部连通至缓冲部；以及气体排放部，其构成反应管侧面的另一端的下端部，并从处理室排出处理气体，反应管构成为从开口部向处理室导入并经由处理室而从气体排放部排出处理气体，其中开口部设置在从缓冲部的上端部到与气体排放部对置的位置。

技术领域

本发明涉及基板处理装置、反应管以及半导体装置的制造方法。

背景技术

以往，在对基板实施氧化、扩散等的处理(尤其是PYRO、DRY氧化、退火等的处理)的基板处理装置中，例如，如专利文献1以及专利文献2所记载地构成为，从设置在反应管下部的气体导入端口导入气体，通过反应管的顶部向反应室内供给气体。向反应室内流入的气体从基板(以下也称为晶圆)处理区域的上侧通过下侧，并从设置于反应管下部的排气端口向反应室外排出。另外，在这种基板处理装置中，仅通过工厂设备的排气能力对反应室内以预定的压力进行控制，进行基板的处理。在专利文献1中记载了如下结构，在顶部设置有暂时滞留气体来调整压力的空间，在空间的下面内壁具有多个喷出气体的开口，气体从该开口将均匀地向反应室内流出。

这样，从与反应管一体化的喷嘴的下部向上部流通气体的期间，气体的温度上升，高温气体从顶部向反应室内供给，由此缩小与构成反应室内的配件(SiC配件、石英配件、晶圆)的温度差，实现颗粒产生的降低。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平11－067750号公报

专利文献2：日本特开平07－176498号公报

发明内容

发明所要解决的课题

然而，存在如下问题，从舟皿的上端到下端为止的晶圆面内的气体流速小，由此来自晶圆的放出气体(来自前处理中形成于晶圆的膜的因热处理所产生的释放气体)所引起的晶圆面内的颗粒增加。

本发明的目的在于提供增大晶圆面内的气体流速的结构。

用于解决课题的方案

根据本发明的一个方案，提供一种具备反应管的结构，该反应管构成对基板进行处理的处理室，且具有：气体导入部，其设置在反应管下部，并导入处理气体；缓冲部，其构成反应管侧面的一端，使处理气体暂时滞留并且设置有向处理室供给处理气体的开口部；连结部，其设置在气体导入部与缓冲部之间，并从气体导入部连通至缓冲部；以及气体排放部，其构成反应管侧面的另一端的下端部，并从处理室排出处理气体，反应管构成为从开口部向处理室导入并经由处理室而从气体排放部排出处理气体，其中开口部设置在从缓冲部的上端部到与气体排放部对置的位置。

本发明具有如下的效果。

能够增大晶圆面内的气体流速，能够抑制因来自晶圆的放出气体而引起的颗粒。

附图说明

图1是表示本发明的一实施方式的基板处理装置的概要的俯视图。

图2是表示本发明的一实施方式的基板处理装置的控制部的方框图。

图3是表示本发明的第一实施方式的基板处理装置的处理炉的竖剖视图。

图4是表示本发明的第一实施方式的基板处理装置的反应管内的构造的概要结构图。

图5是表示本发明的第一实施方式的基板处理装置的处理室的俯视剖视图。