[发明专利]基板处理装置、反应管以及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：

反应管，其构成对基板进行处理的处理室；以及

基板保持部，其具备支撑所述基板的支撑部，

所述反应管具有：

气体导入部，其设置在所述反应管下部，并导入处理气体；

缓冲部，其构成所述反应管侧面的一端，使所述处理气体暂时滞留并且设置有向所述处理室供给所述处理气体的开口部；

连结部，其设置在所述气体导入部与所述缓冲部之间，并从所述气体导入部连通至所述缓冲部；以及

气体排放部，其构成所述反应管侧面的另一端的下端部，并从所述处理室排出所述处理气体，

所述反应管构成为，从所述开口部向所述处理室导入并经由所述处理室而从所述气体排放部排出所述处理气体，其中所述开口部设置在从所述缓冲部的上端部到与所述气体排放部对置的位置，

所述开口部从比所述基板保持部的基板处理区域的上端靠上侧的区域设置到与所述气体排放部对置的位置，并且与所述基板保持部的基板处理区域面对的位置的所述开口部和与位于所述基板处理区域下方的隔热区域面对的位置的所述开口部以不同的间隔形成。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述气体排放部构成为在内部设置有保护管，

所述保护管内置有流路，该流路具有比所述气体排放部的排气管的直径小的直径。

3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述连结部构成为沿着所述反应管外壁面而设置成从与所述气体导入部连接的所述反应管下部经由所述反应管顶点附近直到与所述缓冲部连接的所述反应管顶部。

4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述连结部至少到与所述缓冲部连接为止由多个管构成。

5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述开口部为多个气体供给孔，且以预定间隔从所述缓冲部的上端部形成到下端部。

6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述开口部形成为以与所述支撑部的间隔相同的间隔配置在所述基板与所述基板之间。

7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，还具有：

排气系统，其具备通过阀开度来调整压力的压力调整装置和吸引该压力调整装置内的气体的排气装置；以及

控制部，其以保持所述处理室与所述排气系统之间的压力差的方式控制所述压力调整装置以及所述排气装置。

8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，

所述排气系统还具备所述处理室的过压防止用的传感器，

所述控制部构成为，若所述传感器检测到所述处理室的过压，则将从所述处理室排放的气体以不经由所述压力调整装置以及所述排气装置的方式排放。

9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

还设置有第二缓冲部，该第二缓冲部构成所述反应管侧面的另一端，并与所述气体排放部连通，

所述第二缓冲部的设置在所述处理室侧的气体排放口与构成所述反应管的一端的所述缓冲部的所述开口部配置为以基板的中心为轴而对称。

10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，

所述气体排放口形成为以与所述支撑部的间隔相同的间隔配置在所述基板与所述基板之间。