[发明专利]一种改善电流扩展的发光二极管芯片及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及发光二极管技术领域，更为具体的说，涉及一种改善电流扩展的发光二极管芯片及其制作方法。

背景技术

发光二极管由于其具有发光效率高、颜色范围广、耗电量少、寿命长、单色发光、反应速度快、耐冲击、体积小等优点，而被广泛的应用于显示装置、汽车内部指示灯、家电指示灯、交通信号灯、家用照明等领域内，如何满足提高发光二极管的性能，成为本领域技术人员主要研究方向之一。现有的发光二极管，其主电极与电流扩展层之间欧姆接触，而使得发光二极管的电流扩展性能较差；并且主电极与电流扩展层之间欧姆接触，还会使得主电极对发光外延层的出光吸收而无法反射光线，进而降低出光亮度。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种改善电流扩展的发光二极管芯片及其制作方法，在电流扩展层背离背面电极层一侧形成金属膜薄粗化层，进而提高发光二极管的电流扩展性能；并且，由于无需主电极与电流扩展层之间欧姆接触，避免了主电极对发光外延层的出光进行吸收，进而提高了发光二极管的出光亮度。

为实现上述目的，本发明提供的技术方案如下：

一种改善电流扩展的发光二极管芯片，包括：

背面电极层；

位于所述背面电极层一侧的衬底层；

位于所述衬底层背离所述背面电极层一侧的发光外延层；

位于所述发光外延层背离所述背面电极层一侧的电流扩展层；

位于所述电流扩展层背离所述背面电极层一侧的金属薄膜粗化层，所述金属薄膜粗化层与所述电流扩展层之间欧姆接触，且所述金属薄膜粗化层具有一镂空区域；

以及，位于所述电流扩展层背离所述背面电极层一侧、且设置于所述镂空区域的主电极。

可选的，所述金属薄膜粗化层的厚度范围为10埃-20埃，包括端点值。

可选的，所述金属薄膜粗化层的材质为锌、铍、铬中一种。

可选的，所述发光外延层包括：

位于所述衬底层背离所述背面电极层一侧的N型半导体层；

位于所述N型半导体层背离所述背面电极层一侧的发光层；

以及，位于所述发光层背离所述背面电极层一侧的P型半导体层。

可选的，所述电流扩展层为GaP层。

相应的，本发明还提供了一种改善电流扩展的发光二极管芯片的制作方法，包括：

提一衬底层，所述衬底层上依次形成有叠加的发光外延层和电流扩展层；

在所述电流扩展层背离所述衬底层一侧形成金属薄膜层，且所述金属薄膜层具有一镂空区域；

对所述金属薄膜层进行合金工艺处理，形成与所述电流扩展层之间欧姆接触的金属薄膜粗化层；

在所述电流扩展层背离所述衬底层一侧、且位于所述镂空区域处形成主电极，及在衬底层背离所述发光外延层一侧形成背面电极层。

可选的，所述金属薄膜粗化层的厚度范围为10埃-20埃，包括端点值。

可选的，所述金属薄膜粗化层的材质为锌、铍、铬中一种。

可选的，所述发光外延层包括：

位于所述衬底层背离所述背面电极层一侧的N型半导体层；

位于所述N型半导体层背离所述背面电极层一侧的发光层；

以及，位于所述发光层背离所述背面电极层一侧的P型半导体层。

可选的，所述电流扩展层为GaP层。

相较于现有技术，本发明提供的技术方案至少具有以下优点：

本发明提供了一种改善电流扩展的发光二极管芯片及其制作方法，包括：背面电极层；位于所述背面电极层一侧的衬底层；位于所述衬底层背离所述背面电极层一侧的发光外延层；位于所述发光外延层背离所述背面电极层一侧的电流扩展层；位于所述电流扩展层背离所述背面电极层一侧的金属薄膜粗化层，所述金属薄膜粗化层与所述电流扩展层之间欧姆接触，且所述金属薄膜粗化层具有一镂空区域；以及，位于所述电流扩展层背离所述背面电极层一侧、且设置于所述镂空区域的主电极。由上述内容可知，本发明提供的技术方案，在电流扩展层背离背面电极层一侧形成金属膜薄粗化层，进而提高发光二极管的电流扩展性能；并且，由于无需主电极与电流扩展层之间欧姆接触，避免了主电极对发光外延层的出光进行吸收，进而提高了发光二极管的出光亮度。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。