[发明专利]一种改善电流扩展的发光二极管芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 201711143898.8 | 申请日： | 2017-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN107958946A | 公开（公告）日： | 2018-04-24 |
| 发明（设计）人： | 贾钊;赵炆兼;张双翔;杨凯;陈凯轩 | 申请（专利权）人： | 扬州乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 225101 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 电流 扩展 发光二极管 芯片 及其 制作方法 | ||
1.一种改善电流扩展的发光二极管芯片，其特征在于，包括：
背面电极层；
位于所述背面电极层一侧的衬底层；
位于所述衬底层背离所述背面电极层一侧的发光外延层；
位于所述发光外延层背离所述背面电极层一侧的电流扩展层；
位于所述电流扩展层背离所述背面电极层一侧的金属薄膜粗化层，所述金属薄膜粗化层与所述电流扩展层之间欧姆接触，且所述金属薄膜粗化层具有一镂空区域；
以及，位于所述电流扩展层背离所述背面电极层一侧、且设置于所述镂空区域的主电极。
2.根据权利要求1所述的改善电流扩展的发光二极管芯片，其特征在于，所述金属薄膜粗化层的厚度范围为10埃-20埃，包括端点值。
3.根据权利要求1所述的改善电流扩展的发光二极管芯片，其特征在于，所述金属薄膜粗化层的材质为锌、铍、铬中一种。
4.根据权利要求1所述的改善电流扩展的发光二极管芯片，其特征在于，所述发光外延层包括：
位于所述衬底层背离所述背面电极层一侧的N型半导体层；
位于所述N型半导体层背离所述背面电极层一侧的发光层；
以及，位于所述发光层背离所述背面电极层一侧的P型半导体层。
5.根据权利要求1所述的改善电流扩展的发光二极管芯片，其特征在于，所述电流扩展层为GaP层。
6.一种改善电流扩展的发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，包括：
提一衬底层，所述衬底层上依次形成有叠加的发光外延层和电流扩展层；
在所述电流扩展层背离所述衬底层一侧形成金属薄膜层，且所述金属薄膜层具有一镂空区域；
对所述金属薄膜层进行合金工艺处理，形成与所述电流扩展层之间欧姆接触的金属薄膜粗化层；
在所述电流扩展层背离所述衬底层一侧、且位于所述镂空区域处形成主电极，及在衬底层背离所述发光外延层一侧形成背面电极层。
7.根据权利要求6所述的改善电流扩展的发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，所述金属薄膜粗化层的厚度范围为10埃-20埃，包括端点值。
8.根据权利要求6所述的改善电流扩展的发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，所述金属薄膜粗化层的材质为锌、铍、铬中一种。
9.根据权利要求6所述的改善电流扩展的发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，所述发光外延层包括：
位于所述衬底层背离所述背面电极层一侧的N型半导体层；
位于所述N型半导体层背离所述背面电极层一侧的发光层；
以及，位于所述发光层背离所述背面电极层一侧的P型半导体层。
10.根据权利要求6所述的改善电流扩展的发光二极管芯片制作方法，其特征在于，所述电流扩展层为GaP层。
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