[发明专利]SiC晶片的生成方法

说明书

提供实现生产率提高的SiC晶片的生成方法。该SiC晶片的生成方法包括下述工序：改质部形成工序，将对于单晶SiC具有透过性的波长的脉冲激光光线(LB)的聚光点(FP)定位在距离SiC晶锭(50)的第一面(52)相当于要生成的SiC晶片的厚度的深度，对SiC晶锭(50)照射脉冲激光光线(LB)，在c面上形成SiC分离成Si和C的改质部(60)；剥离层形成工序，连续地形成改质部(60)，从改质部(60)起在c面各向同性地形成裂纹(62)，形成用于从SiC晶锭(50)将SiC晶片剥离的剥离层(64)；和晶片生成工序，以剥离层(64)为界面将SiC晶锭(50)的一部分剥离而生成SiC晶片(66)。

技术领域

本发明涉及一种SiC晶片的生成方法，其从单晶SiC晶锭生成SiC晶片。

背景技术

IC、LSI、LED等器件形成于将功能层层叠在以Si(硅)、Al₂O₃(蓝宝石)等作为材料的晶片的正面并由多条交叉的分割预定线所划分的区域。另外，功率器件、LED等形成于将功能层层叠在以单晶SiC(碳化硅)作为材料的晶片的正面并由多条交叉的分割预定线所划分的区域。形成有器件的晶片利用切削装置或激光加工装置对分割预定线实施加工而分割成各个器件芯片。分割得到的各器件芯片被用于移动电话、个人计算机等电气设备中。

形成器件的晶片通常是通过利用划片锯将圆柱形状的晶锭薄薄地切断而生成的。切断得到的晶片的正面和背面通过研磨而精加工成镜面(参见专利文献1)。但是，在利用划片锯将晶锭切断并对切断得到的晶片的正面和背面进行研磨时，晶锭的大部分(70％～80％)会被浪费，存在不经济的问题。特别是单晶SiC晶锭，其硬度高，难以利用划片锯进行切断，需要花费相当长的时间，因而生产率差，并且晶锭的单价高，在高效地生成晶片方面存在问题。

因此，有人提出了下述技术：将对于单晶SiC具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在单晶SiC晶锭的内部来对单晶SiC晶锭照射激光光线，从而在切断预定面上形成改质层，将形成有改质层的切断预定面切断，从单晶SiC晶锭生成SiC晶片(参见专利文献2)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2000-94221号公报

专利文献2：日本特开2013-49161号公报

发明内容

发明所要解决的课题

但是，在日本特开2013-49161号公报中记载的方法中，为了从单晶SiC晶锭生成SiC晶片，必须每隔10μm左右的间隔致密地形成改质层，存在生产率差的问题。

由此，本发明的目的在于提供实现生产率提高的SiC晶片的生成方法。

用于解决课题的手段

根据本发明，提供一种SiC晶片的生成方法，其从单晶SiC晶锭生成SiC晶片，该单晶SiC晶锭具有c轴和与该c轴垂直的c面，该SiC晶片的生成方法具备下述工序：改质部形成工序，将对于单晶SiC具有透过性的波长的脉冲激光光线的聚光点定位在距离单晶SiC晶锭的端面相当于要生成的SiC晶片的厚度的深度，对单晶SiC晶锭照射脉冲激光光线，在c面上形成SiC分离成Si和C的改质部；剥离层形成工序，连续地形成该改质部，从该改质部起在c面各向同性地形成裂纹，形成用于从单晶SiC晶锭将SiC晶片剥离的剥离层；和SiC晶片生成工序，以该剥离层为界面将单晶SiC晶锭的一部分剥离而生成SiC晶片，在该剥离层形成工序中，将该改质部的直径设为D，将相邻的聚光点的间隔设为L时，在具有DL的关系的区域形成裂纹，在不超过裂纹的宽度的范围对单晶SiC晶锭和聚光点相对地进行转位进给而连续地形成改质部，使裂纹与裂纹连结，形成该剥离层。