[发明专利]SiC晶片的生成方法有效
申请号: | 201711143027.6 | 申请日: | 2017-11-17 |
公开(公告)号: | CN108145307B | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
发明(设计)人: | 平田和也 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | B23K26/00 | 分类号: | B23K26/00;B28D5/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 庞东成;褚瑶杨 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | sic 晶片 生成 方法 | ||
1.一种SiC晶片的生成方法,其从单晶SiC晶锭生成SiC晶片,该单晶SiC晶锭具有c轴和与该c轴垂直的c面,
该SiC晶片的生成方法具备下述工序:
改质部形成工序,将对于单晶SiC具有透过性的波长的脉冲激光光线的聚光点定位在距离单晶SiC晶锭的端面相当于要生成的SiC晶片的厚度的深度,对单晶SiC晶锭照射脉冲激光光线,在c面上形成SiC分离成Si和C的改质部;
剥离层形成工序,连续地形成该改质部,从该改质部起在c面各向同性地形成裂纹,形成用于从单晶SiC晶锭将SiC晶片剥离的剥离层;和
SiC晶片生成工序,以该剥离层为界面将单晶SiC晶锭的一部分剥离而生成SiC晶片,
在该剥离层形成工序中,将该改质部的直径设为D,将相邻的聚光点的间隔设为L时,在具有DL的关系的区域形成裂纹,在不超过裂纹的宽度的范围对单晶SiC晶锭和聚光点相对地进行转位进给而连续地形成改质部,使裂纹与裂纹连结,形成该剥离层,其中,具有0.75DL0.1D的关系。
2.如权利要求1所述的SiC晶片的生成方法,其中,在该剥离层形成工序中照射的脉冲激光光线的能量为9μJ以上。
3.如权利要求1所述的SiC晶片的生成方法,其中,在该剥离层形成工序中,将聚光点定位在相同的c面上,连续地形成该改质部。
4.如权利要求3所述的SiC晶片的生成方法,其中,在c轴相对于单晶SiC晶锭的端面的垂线倾斜的情况下,在该剥离层形成工序中,
在与通过c面和端面形成偏离角的第2方向垂直的第1方向上连续地形成该改质部,从改质部起各向同性地形成裂纹,在该第2方向上在不超过裂纹的宽度的范围对单晶SiC晶锭和聚光点相对地进行转位进给,在该第1方向连续地形成改质部,从改质部起各向同性地依次形成裂纹。
5.如权利要求3所述的SiC晶片的生成方法,其中,在单晶SiC晶锭的端面的垂线与c轴一致的情况下,在该剥离层形成工序中,
在不超过从连续形成的改质部起各向同性地形成的裂纹的宽度的范围,对单晶SiC晶锭和聚光点相对地进行转位进给,连续地形成改质部,使裂纹与裂纹连结。
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