[发明专利]超高深宽比SONO刻蚀工艺有效

申请号：	201711139505.6	申请日：	2017-11-16
公开（公告）号：	CN107731750B	公开（公告）日：	2020-04-14
发明（设计）人：	刘隆冬;王猛;陈保友;苏恒;朱喜峰;肖为引;方振	申请（专利权）人：	长江存储科技有限责任公司
主分类号：	H01L21/82	分类号：	H01L21/82;H01L21/822;H01L27/10
代理公司：	北京辰权知识产权代理有限公司 11619	代理人：	刘广达
地址：	430074 湖北省武汉市洪山区东***	国省代码：	湖北;42
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摘要：
搜索关键词：	高深 sono 刻蚀工艺
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【权利要求书】：

1.一种超高深宽比SONO刻蚀工艺，所述工艺包括提供一衬底堆叠结构，具体为，提供衬底，所述衬底表面形成有多层交错堆叠的层间介质层及牺牲介质层，所述牺牲介质层形成于相邻的层间介质层之间；所述层间介质层为氧化硅层，所述牺牲介质层为氮化硅层，从而形成O/N堆叠结构(O/N Stacks)，最上层的氮化硅层作为刻蚀硬掩膜层；其特征在于：

步骤S1：所述最上面刻蚀硬掩膜层上面再沉积一层无定型硅层；

步骤S2：在所述衬底堆叠结构上形成沟道孔；并在所述沟道孔底部经过外延生长沉积形成一层外延硅；

步骤S3，在沟道孔侧壁和底部依次沉积氧化硅、氮化硅、氧化硅、无定型硅薄膜层；

步骤S4，采用干法刻蚀，把沟道孔顶部和底部的硅层打开，同时保证侧壁的无定型硅薄膜层有一定的残留；其中，刻蚀气体对氧化硅和氮化硅层与无定型硅选择比设置为：OX&SiN/Si>500:1；

步骤S5，采用干法化学刻蚀，以除去沟道孔底部沉积的氧化硅和氮化硅层。

2.根据权利要求1所述的一种刻蚀工艺，其特征在于：

刻蚀硬掩膜层下面紧邻的氧化硅层的厚度控制为刻蚀硬掩膜氮化硅层的厚度控制为所述无定型硅层的厚度控制为

3.根据权利要求1所述的一种刻蚀工艺，其特征在于：

所述步骤S3中无定型硅薄膜层的厚度控制为

4.根据权利要求1所述的一种刻蚀工艺，其特征在于：

所述干法刻蚀为等离子体刻蚀。

5.根据权利要求4所述的一种刻蚀工艺，其特征在于：