[发明专利]静电放电保护电路、集成电路芯片及电子设备在审

专利信息
申请号: 201711139504.1 申请日: 2017-11-16
公开(公告)号: CN107946297A 公开(公告)日: 2018-04-20
发明(设计)人: 李志国 申请(专利权)人: 长江存储科技有限责任公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02
代理公司: 北京辰权知识产权代理有限公司11619 代理人: 刘广达
地址: 430074 湖北省武汉市洪山区东*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 静电 放电 保护 电路 集成电路 芯片 电子设备
【权利要求书】:

1.一种静电放电保护电路,其特征在于,包括:并联于电源接脚与接地接脚之间并顺序耦合的瞬态电路、分压电路和栅极驱动泄放器件;

当瞬态电路检测到静电时,触发分压电路向所述栅极驱动泄放器件的栅极发送电压值小于电源电压值的驱动信号,所述栅极驱动泄放器件在所述驱动信号的驱动下释放静电。

2.根据权利要求1所述的静电放电保护电路,其特征在于,所述瞬态电路包括:电容、第一电阻和反相器组;其中,

所述电容与所述第一电阻串联在所述电源接脚与接地接脚之间;

所述电容与所述第一电阻的连接端共同连接于所述反相器组的输入端;

所述反相器组的输出端与所述分压电路连接,并在检测到静电时向所述分压电路发送触发信号。

3.根据权利要求2所述的静电放电保护电路,其特征在于,所述栅极驱动泄放器件包括MOS管;

所述MOS管的漏极与所述电源接脚连接,源极与所述接地接脚连接,栅极与所述分压电路连接。

4.根据权利要求3所述的静电放电保护电路,其特征在于,所述MOS管包括第一NMOS管;

所述分压电路包括第一PMOS管和第二电阻;其中,

所述第一PMOS管的栅极与所述反相器组的输出端连接,漏极与所述电源接脚连接,源极与所述第二电阻的第一端共同连接于所述第一NMOS管的栅极;

所述第二电阻的第二端与所述接地接脚连接。

5.根据权利要求4所述的静电放电保护电路,其特征在于,所述电容与所述电源接脚连接,所述第一电阻与所述接地接脚连接;

所述反相器组包括串联连接的奇数个反相器。

6.根据权利要求4所述的静电放电保护电路,其特征在于,所述第一电阻与所述电源接脚连接,所述电容与所述接地接脚连接;

所述反相器组包括串联连接的偶数个反相器。

7.根据权利要求3所述的静电放电保护电路,其特征在于,所述MOS管包括第二PMOS管;

所述分压电路包括第二NMOS管和第三电阻;其中,

所述第二NMOS管的栅极与所述反相器组的输出端连接,漏极与所述第三电阻的第一端共同连接于所述第二PMOS管的栅极,源极与所述接地接脚连接;

所述第三电阻的第二端与所述电源接脚连接。

8.根据权利要求7所述的静电放电保护电路,其特征在于,所述电容与所述电源接脚连接,所述第一电阻与所述接地接脚连接;

所述反相器组包括串联连接的偶数个反相器。

9.根据权利要求7所述的静电放电保护电路,其特征在于,所述第一电阻与所述电源接脚连接,所述电容与所述接地接脚连接;

所述反相器组包括串联连接的奇数个反相器。

10.根据权利要求4-9任一项所述的静电放电保护电路,其特征在于,所述分压电路还包括:二极管;

所述二极管的正极与所述接地接脚连接,负极与所述MOS管的栅极连接。

11.一种集成电路芯片,其特征在于,所述集成电路芯片中设置有权利要求1-10任一项所述的静电放电保护电路。

12.一种电子设备,其特征在于,所述电子设备中设置有权利要求11所述的集成电路芯片。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司,未经长江存储科技有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711139504.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top