[发明专利]静电放电保护电路、集成电路芯片及电子设备在审
申请号: | 201711139504.1 | 申请日: | 2017-11-16 |
公开(公告)号: | CN107946297A | 公开(公告)日: | 2018-04-20 |
发明(设计)人: | 李志国 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京辰权知识产权代理有限公司11619 | 代理人: | 刘广达 |
地址: | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 静电 放电 保护 电路 集成电路 芯片 电子设备 | ||
1.一种静电放电保护电路,其特征在于,包括:并联于电源接脚与接地接脚之间并顺序耦合的瞬态电路、分压电路和栅极驱动泄放器件;
当瞬态电路检测到静电时,触发分压电路向所述栅极驱动泄放器件的栅极发送电压值小于电源电压值的驱动信号,所述栅极驱动泄放器件在所述驱动信号的驱动下释放静电。
2.根据权利要求1所述的静电放电保护电路,其特征在于,所述瞬态电路包括:电容、第一电阻和反相器组;其中,
所述电容与所述第一电阻串联在所述电源接脚与接地接脚之间;
所述电容与所述第一电阻的连接端共同连接于所述反相器组的输入端;
所述反相器组的输出端与所述分压电路连接,并在检测到静电时向所述分压电路发送触发信号。
3.根据权利要求2所述的静电放电保护电路,其特征在于,所述栅极驱动泄放器件包括MOS管;
所述MOS管的漏极与所述电源接脚连接,源极与所述接地接脚连接,栅极与所述分压电路连接。
4.根据权利要求3所述的静电放电保护电路,其特征在于,所述MOS管包括第一NMOS管;
所述分压电路包括第一PMOS管和第二电阻;其中,
所述第一PMOS管的栅极与所述反相器组的输出端连接,漏极与所述电源接脚连接,源极与所述第二电阻的第一端共同连接于所述第一NMOS管的栅极;
所述第二电阻的第二端与所述接地接脚连接。
5.根据权利要求4所述的静电放电保护电路,其特征在于,所述电容与所述电源接脚连接,所述第一电阻与所述接地接脚连接;
所述反相器组包括串联连接的奇数个反相器。
6.根据权利要求4所述的静电放电保护电路,其特征在于,所述第一电阻与所述电源接脚连接,所述电容与所述接地接脚连接;
所述反相器组包括串联连接的偶数个反相器。
7.根据权利要求3所述的静电放电保护电路,其特征在于,所述MOS管包括第二PMOS管;
所述分压电路包括第二NMOS管和第三电阻;其中,
所述第二NMOS管的栅极与所述反相器组的输出端连接,漏极与所述第三电阻的第一端共同连接于所述第二PMOS管的栅极,源极与所述接地接脚连接;
所述第三电阻的第二端与所述电源接脚连接。
8.根据权利要求7所述的静电放电保护电路,其特征在于,所述电容与所述电源接脚连接,所述第一电阻与所述接地接脚连接;
所述反相器组包括串联连接的偶数个反相器。
9.根据权利要求7所述的静电放电保护电路,其特征在于,所述第一电阻与所述电源接脚连接,所述电容与所述接地接脚连接;
所述反相器组包括串联连接的奇数个反相器。
10.根据权利要求4-9任一项所述的静电放电保护电路,其特征在于,所述分压电路还包括:二极管;
所述二极管的正极与所述接地接脚连接,负极与所述MOS管的栅极连接。
11.一种集成电路芯片,其特征在于,所述集成电路芯片中设置有权利要求1-10任一项所述的静电放电保护电路。
12.一种电子设备,其特征在于,所述电子设备中设置有权利要求11所述的集成电路芯片。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司,未经长江存储科技有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711139504.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种静电保护用LEMDS_SCR器件
- 下一篇:防瞬态闩锁的ESD保护电路
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的