[发明专利]一种荫罩及其制造方法

说明书

本发明提供一种荫罩，包括硅基板、贯穿所述硅基板的狭缝以及所述狭缝之间的支撑部，所述荫罩包括第一表面及第二表面；在所述荫罩的第一表面，所述狭缝具有第一宽度X，在所述荫罩的第二表面，所述狭缝具有第二宽度Y，其中，X＜Y。本发明提供的荫罩可以改善蒸镀工艺中的阴影效应不良。另外，本发明还提供上述荫罩的形成方法。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术，尤其涉及一种OLED显示面板生产用的荫罩及其制造方法。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light-EmittingDiode,OLED)显示器，具有自发光、广视角、高对比度、较低耗电、高反应速度等优点，越来越受到市场的青睐，预计在不远的将来将取代液晶显示技术成为主流显示技术。有机发光二极管最简单的形式是由一个发光材料层嵌在两个电极之间的结构组成，输入电压时载流子运动，穿过有机层，直至电子空穴并重新结合，这样达到能量守恒并将过量的能量以光脉冲形式释放。有机发光二极管显示器的发光材料层是通过蒸镀工艺形成在电极之上的，在这种制造方法下，构成发光单元的固体材料在坩埚中被加热后蒸发或者升华为气态，并扩散到基板上。这些材料在基板上冷却后重新成为固态并附着在基板上，组成OLED器件。

OLED显示器的每个像素由红、绿、蓝三个OLED器件组成，而这三个OLED器件所需要的材料并不相同。因此在蒸镀某一种材料时，必须在坩埚和基板之间放入特定荫罩，被蒸镀的材料从荫罩的狭缝穿过附着在基板上，蒸镀的支撑部用以遮蔽不需要该材料的区域。

制作1000PPI(Pixels Per Inch，每英寸像素数)及以上解析度的OLED显示器，需要狭缝小于10um且厚度小于5um的荫罩。请参考图1，为传统的金属材料荫罩，狭缝H和厚度D均在20um以上，无法满足高解析度显示器的工艺需求。目前业界还有一种使用氮化硅制作薄膜荫罩的方法，但氮化硅材料应力大，制作过程中容易碎，荫罩尺寸越大该问题越明显，同时，氮化硅薄膜荫罩的阴影效应问题也无法解决。如图2所示，当使用氮化硅荫罩12进行蒸镀时，蒸镀源11加热的有机发光材料升华后通过氮化硅荫罩12的狭缝13向基板14上的目标区域扩散，因为氮化硅荫罩12的遮挡，会形成外阴影区域D1和内阴影区域D2，外阴影区域D1是指实际沉积范围超出了目标区域，内阴影区域D2是有机发光材料在目标区域的边缘处成膜较薄的情况，阴影效应问题严重影响蒸镀效果。

发明内容

为了克服现有技术的问题，本发明提供一种荫罩，所述荫罩包括硅基板、贯穿所述硅基板的狭缝以及所述狭缝之间的支撑部，所述荫罩包括第一表面及第二表面；在所述荫罩的第一表面，所述狭缝具有第一宽度X，在所述荫罩的第二表面，所述狭缝具有第二宽度Y，其中，X＜Y。

可选地，所述荫罩的支撑部掺杂有硼离子，所述硼离子的掺杂厚度为1～10微米。

可选地，所述第一宽度X的范围为1微米～80微米，所述第二宽度Y的范围为2微米～100微米，所述第一宽度X和第二宽度Y的差值范围为1微米～20微米。

可选地，所述第一宽度X和第二宽度Y之间连线与所述荫罩的第二表面之间具有夹角α，其中，140°≥α＞90°。

可选地，所述狭缝之间的支撑部的侧壁为直线或者曲线状。

可选地，所述荫罩还包括硅基板的周边区域形成的框架部，所述框架部的厚度大于所述支撑部的厚度。

本发明还提供一种荫罩的形成方法，所述荫罩包括硅基板、贯穿所述硅基板的狭缝以及位于所述狭缝之间的支撑部，所述形成方法包括：

步骤S11：提供一硅基板，所述硅基板包括第一表面和第二表面；

步骤S12：在所述硅基板的第一表面进行硼离子掺杂，所述硼离子掺杂的厚度为a，掺杂的硼离子在厚度方向形成浓度差异，从所述第一表面方向至所述第二表面方向，所述掺杂的硼离子的浓度逐渐降低；