[发明专利]一种荫罩及其制造方法

权利要求书

1.一种荫罩，其特征在于，所述荫罩包括硅基板、贯穿所述硅基板的狭缝以及所述狭缝之间的支撑部，所述荫罩包括第一表面及第二表面；在所述荫罩的第一表面，所述狭缝具有第一宽度X，在所述荫罩的第二表面，所述狭缝具有第二宽度Y，其中，X＜Y；

所述支撑部掺杂有硼离子，并且，从所述第一表面方向至所述第二表面方向，所述掺杂的硼离子的浓度逐渐降低。

2.根据权利要求1所述的荫罩，其特征在于，所述硼离子的掺杂厚度为1微米～10微米。

3.根据权利要求1所述的荫罩，其特征在于，所述第一宽度X的范围为1微米～80微米，所述第二宽度Y的范围为2微米～100微米，所述第一宽度X和第二宽度Y的差值范围为1微米～20微米。

4.根据权利要求1所述的荫罩，其特征在于，所述支撑部的侧壁与所述荫罩的第二表面之间具有夹角α，其中，140°≥α＞90°。

5.根据权利要求1所述的荫罩，其特征在于，所述支撑部的侧壁为直线或者曲线状。

6.根据权利要求1所述的荫罩，其特征在于，所述荫罩还包括硅基板的周边区域形成的框架部，所述框架部的厚度大于所述支撑部的厚度。

7.一种荫罩的形成方法，所述荫罩包括硅基板、贯穿所述硅基板的狭缝以及位于所述狭缝之间的支撑部，其特征在于，所述形成方法包括：

步骤S11：提供一硅基板，所述硅基板包括第一表面和第二表面；

步骤S12：在所述硅基板的第一表面进行硼离子掺杂，所述硼离子掺杂的厚度为a；掺杂的硼离子在厚度方向形成浓度差异，从所述第一表面方向至所述第二表面方向，硼离子的浓度逐渐降低；

步骤S13：在所述硅基板的第一表面上形成第一保护层；

步骤S14：在所述第一保护层上形成第一光刻胶层，对所述第一光刻胶层进行曝光和显影，去除所述狭缝对应区域的第一光刻胶；

步骤S15：以所述第一光刻胶层为掩膜，对所述第一保护层及所述硅基板的第一表面进行刻蚀，以去除所述狭缝对应区域的所述第一保护层及厚度为b的所述硅基板，所述硅基板的第一表面形成台阶状，并且b≥a；

步骤S16：去除所述第一光刻胶层；

步骤S17：对所述硅基板进行刻蚀，以去除狭缝对应区域的所述硅基板，保留支撑部对应区域的硅基板，所述支撑部为掺杂有硼离子处的硅基板；

步骤S18：对所述硅基板进行湿法刻蚀，刻蚀所述支撑部的边缘形成所述狭缝，硼离子浓度越小部分湿法刻蚀时被刻蚀率越大，使得在所述硅基板的第一表面，所述狭缝具有第一宽度X，在所述硅基板的第二表面，所述狭缝具有第二宽度Y，并且X＜Y；

步骤S19：刻蚀去除所述第一保护层。

8.根据权利要求7所述的形成方法，其特征在于，在步骤S12中进行硼离子掺杂时，硼离子的浓度大于等于10²⁰个每立方厘米。

9.根据权利要求7所述的形成方法，其特征在于，在步骤S13中，以低压化学气相沉积法形成所述第一保护层。

10.根据权利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述步骤S17为湿法刻蚀。

11.根据权利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述步骤S17和步骤S18合并为同一步骤进行。

12.根据权利要求7、10、11任一所述的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀的刻蚀液为氢氧化钾(KOH)溶液，或者为四甲基氢氧化铵(TMAH)溶液。

13.根据权利要求7所述的形成方法，其特征在于，在步骤S19中，所述刻蚀为湿法刻蚀，刻蚀液为磷酸(H₃PO₄)溶液。