[发明专利]Micro LED制备方法

说明书

本发明提供一种Micro LED制备方法，包括：在背板上设置与LED晶粒相适配的凹槽；将LED晶粒撒落在背板的表面，并且沿水平方向晃动背板，使LED晶粒落入与其相适配的凹槽中；利用沿背板的水平方向的气流吹走未落入凹槽的LED晶粒；将落入凹槽的LED晶粒与背板进行固化；通过除湿法去除LED晶粒的保护胶膜；在LED晶粒与凹槽的间隙设置反射填充层；对LED晶粒的顶部进行表面光刻刻蚀，使LED晶粒的顶部露出掺杂的导电层，并对导电层进行平坦化处理，然后键合电极。利用本发明，能够解决Micro LED制造过程中传统的巨量转移必须需要精确对准的问题。

技术领域

本发明涉及半导体光电子技术领域，更为具体地，涉及一种Micro LED制备方法。

背景技术

Micro LED技术，即LED微缩化和矩阵化技术，具有良好的稳定性，寿命，以及运行温度上的优势，同时也承继了LED低功耗、色彩饱和度、反应速度快、对比度强等优点，MicroLED的亮度比OLED高30倍，并且功率消耗量约为LCD的10％、OLED的50％。

Micro LED未来将具有极大地应用前景，但是目前Micro LED制造成本问题，严重影响了其商用化的进程，原因主要就是巨量转移技术瓶颈仍然有待突破，传统的巨量转移往往需要精确对准，这对Micro LED的生产成本以及制造环境都提出了严格要求，严重限制了转移效率和生产良率。

为了解决这一问题，本发明提出一种新的Micro LED的制备方法。

发明内容

鉴于上述问题，本发明的目的是提供一种Micro LED的制备方法，以解决MicroLED制造过程中传统的巨量转移必须需要精确对准的问题。

本发明提供一种Micro LED制备方法，包括如下具体步骤：

在背板上设置与LED晶粒相适配的凹槽，其中，LED晶粒为梯台结构，梯台结构包括底部和顶部，底部与凹槽的底端适配，并且在LED晶粒除底部外的周围表面设置有保护胶膜；

将LED晶粒撒落在背板的表面，并且沿水平方向晃动背板，使LED晶粒落入与其相适配的凹槽中；

利用沿背板的水平方向的气流吹走未落入凹槽的LED晶粒；

将落入凹槽的LED晶粒与背板进行固化；

通过除湿法去除LED晶粒的保护胶膜；

在LED晶粒与凹槽的间隙设置反射填充层；

对LED晶粒的顶部进行表面光刻刻蚀，使LED晶粒的顶部露出掺杂的导电层；并对导电层进行平坦化处理，然后键合电极。

此外，优选的方案是，在利用沿背板的水平方向的气流吹走未落入所述凹槽的LED晶粒之后，检测背板的凹槽是否被LED晶粒填满。

此外，优选的方案是，如果凹槽被LED晶粒填满，则将落入凹槽的LED晶粒与背板进行固化；

如果凹槽未被LED晶粒填满，则将LED晶粒再次撒落在背板的表面，直至凹槽被LED晶粒填满。

此外，优选的方案是，在将落入凹槽的LED晶粒与背板进行固化的过程中，LED晶粒的底部与凹槽的底端之间通过加热或者激光进行固化。

此外，优选的方案是，LED晶粒的底部表面为金属化，其中，

通过金属蒸镀对LED晶粒的底部表面进行金属化，并且对LED晶粒的底部表面进行金属化的金属为铟或金。

此外，优选的方案是，在通过除湿法去除LED晶粒的保护胶膜的过程中，

将有机溶剂滴加到LED晶粒的保护胶膜上，保护胶膜溶解在有机溶剂中，从而去除LED晶粒的保护胶膜。