[发明专利]Micro LED制备方法

权利要求书

1.一种Micro LED制备方法，包括如下具体步骤：

在背板上设置与LED晶粒相适配的凹槽，其中，所述LED晶粒为梯台结构，所述梯台结构包括底部和顶部，所述底部与所述凹槽的底端适配，并且在所述LED晶粒除底部外的周围表面设置有保护胶膜；

将所述LED晶粒撒落在所述背板的表面，并且沿水平方向晃动所述背板，使所述LED晶粒落入与其相适配的所述凹槽中；

利用沿所述背板的水平方向的气流吹走未落入所述凹槽的LED晶粒；

将落入所述凹槽的LED晶粒与所述背板进行固化；

通过除湿法去除所述LED晶粒的保护胶膜；

在所述LED晶粒与所述凹槽的间隙设置反射填充层；

对所述LED晶粒的顶部进行表面光刻刻蚀，使所述LED晶粒的顶部露出掺杂的导电层；并对所述导电层进行平坦化处理，然后键合电极。

2.如权利要求1所述的Micro LED制备方法，其中，

在利用沿所述背板的水平方向的气流吹走未落入所述凹槽的LED晶粒之后，检测所述背板的凹槽是否被所述LED晶粒填满。

3.如权利要求2所述的Micro LED制备方法，其中，

如果所述凹槽被所述LED晶粒填满，则将落入所述凹槽的LED晶粒与所述背板进行固化；

如果所述凹槽未被所述LED晶粒填满，则将所述LED晶粒再次撒落在所述背板的表面，直至所述凹槽被所述LED晶粒填满。

4.如权利要求1所述的Micro LED制备方法，其中，在将落入所述凹槽的LED晶粒与所述背板进行固化的过程中，

所述LED晶粒的底部与所述凹槽的底端之间通过加热或者激光进行固化。

5.如权利要求1所述的Micro LED制备方法，其中，

所述LED晶粒的底部表面为金属化，其中，

通过金属蒸镀对所述LED晶粒的底部表面进行金属化，并且对所述LED晶粒的底部表面进行金属化的金属为铟或金。

6.如权利要求1所述的Micro LED制备方法，其中，在通过除湿法去除所述LED晶粒的保护胶膜的过程中，

将有机溶剂滴加到所述LED晶粒的保护胶膜上，所述保护胶膜溶解在所述有机溶剂中，从而去除所述LED晶粒的保护胶膜。

7.如权利要求1所述的Micro LED制备方法，其中，

所述电极为透明或者半透明的电极，并且所述电极通过范德华力键合在平坦化处理后的导电层上。

8.如权利要求7所述的Micro LED制备方法，其中，在所述电极通过范德华力键合在平坦化处理后的导电层上之后，

在所述电极与所述背板之间设置一层透明膜，用于固定所述电极与所述背板。