[发明专利]用于基于写入辅助的存储器操作的低电压自定时跟踪电路

权利要求书

1.一种电子器件，包括：

位线和互补位线；

交叉耦合的第一反相器和第二反相器；

第一传输门，耦合在所述互补位线与所述第一反相器之间；

第二传输门，耦合在所述位线与所述第二反相器之间；

交叉耦合的第三反相器和第四反相器；

第三传输门，耦合在所述互补位线与所述第三反相器之间；以及

第四传输门，耦合在所述位线与所述第四反相器之间；

其中所述第一反相器、所述第二反相器和所述第四反相器在电源节点与参考节点之间被供电，并且所述第三反相器在浮置节点与所述参考节点之间被供电；

其中所述第一传输门和所述第三传输门并联耦合。

2.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述位线耦合到所述电源节点；并且所述电子器件还包括被配置为将所述互补位线选择性地耦合到接地的驱动器。

3.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述第一传输门、所述第二传输门、所述第三传输门和所述第四传输门根据字线信号被选择性地断开和闭合，使得当所述第一传输门和所述第三传输门闭合以由此将所述第一反相器的输出和所述第三反相器的输出耦合到所述互补位线时，由于所述第三反相器在所述浮置节点与所述参考节点之间被供电，所以所述第一传输门和所述第三传输门能够将所述第一反相器的输出和所述第三反相器的输出拉至低电位，从而使得所述第二反相器的输入和所述第四反相器的输入被充电至高电位。

4.根据权利要求3所述的电子器件，还包括耦合到所述第一反相器的输入的复位节点，其中复位定时信号在所述第一反相器的输入被充电至高电位时在所述复位节点上被生成。

5.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述第二传输门和所述第四传输门并联耦合。

6.根据权利要求1所述的电子器件，还包括：

交叉耦合的第五反相器和第六反相器；

耦合在所述互补位线与所述第五反相器之间的第五传输门；以及

耦合在所述位线与所述第六反相器之间的第六传输门；

其中所述第六反相器在所述电源节点与所述参考节点之间被供电，并且所述第五反相器在浮置节点与所述参考节点之间被供电；

其中所述第五传输门与所述第一传输门和所述第三传输门并联耦合。

7.根据权利要求1所述的电子器件，其中：

所述第一反相器包括：

第一PMOS晶体管，所述第一PMOS晶体管的源极耦合到所述电源节点，所述第一PMOS晶体管的漏极耦合到所述第一反相器的输出，并且所述第一PMOS晶体管的栅极耦合到所述第一反相器的输入节点；以及

第一NMOS晶体管，所述第一NMOS晶体管的漏极耦合到

所述第一反相器的输出，所述第一NMOS晶体管的源极耦合到所述参考节点，并且所述第一NMOS晶体管的栅极耦合到所述第一反相器的输入节点；

所述第二反相器包括：

第二PMOS晶体管，所述第二PMOS晶体管的源极耦合到所述电源节点，所述第二PMOS晶体管的漏极耦合到所述第二反相器的输出，并且所述第二PMOS晶体管的栅极耦合到所述第二反相器的输入节点；以及

第二NMOS晶体管，所述第二NMOS晶体管的漏极耦合到

所述第二反相器的输出，所述第二NMOS晶体管的源极耦合到所述参考节点，并且所述第二NMOS晶体管的栅极耦合到所述第二反相器的输入节点；

其中所述第一反相器的输出耦合到所述第二反相器的输入节点；

其中所述第二反相器的输出耦合到所述第一反相器的输入节点。