[发明专利]晶圆载盘以及金属有机化学气相沉积设备

说明书

本发明提供一种晶圆载盘，其包括旋转轴心、中心平整区、晶圆设置区以及多个晶圆容置槽。旋转轴心穿过中心平整区的中心。晶圆设置区环绕中心平整区。多个晶圆容置槽设置于晶圆设置区。每一晶圆容置槽的直径为D，且中心平整区的半径为0.5D～3D。中心平整区的表面是平坦的平面。另提供一种晶圆载盘及使用上述两种晶圆载盘的任一种的金属有机化学气相沉积设备。

技术领域

本发明涉及一种载盘以及设备，尤其涉及一种晶圆载盘以及金属有机化学气相沉积设备。

背景技术

金属有机化学气相沉积（Metal Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD）是目前在晶圆上进行磊晶处理的一种方法。在MOCVD的过程中，晶圆设置在晶圆载盘上。通过控制腔体内诸如温度、气压和气体流速等处理参数以获得所希望的晶体生长。基于产量的考量，通常会在晶圆载盘上摆放尽可能多的晶圆。然而，相邻晶圆之间的距离若过近，容易影响晶圆的波长均匀性（wavelength uniformity）。

发明内容

本发明提供一种晶圆载盘，其可提升波长均匀性。

本发明提供一种金属有机化学气相沉积设备，其使用上述晶圆载盘。

本发明的一种晶圆载盘，其包括旋转轴心、中心平整区、晶圆设置区以及多个晶圆容置槽。旋转轴心穿过中心平整区的中心。晶圆设置区环绕中心平整区。多个晶圆容置槽设置于晶圆设置区。每一晶圆容置槽的直径为D，且中心平整区的半径为0.5D～3D。中心平整区的表面是平坦的平面。

在本发明的一实施例中，中心平整区的厚度大于每一晶圆容置槽的深度。

在本发明的一实施例中，中心平整区的半径为D～2D。

在本发明的一实施例中，中心平整区的表面粗糙度小于所述晶圆容置槽的表面粗糙度。

本发明的一种晶圆载盘，其包括旋转轴心、第一虚拟环线、相邻于第一虚拟环线的第二虚拟环线以及多个晶圆容置槽。第一虚拟环线、第二虚拟环线以旋转轴心为圆心并具有不同的半径。多个晶圆容置槽彼此间隔设置且排列于第一虚拟环线与第二虚拟环线上，其中每一晶圆容置槽的直径为D。分别位于第一虚拟环线、第二虚拟环线上的任两相邻晶圆容置槽边缘间的最短距离为0.1D～5D。

在本发明的一实施例中，分别位于第一虚拟环线、第二虚拟环线上的任两相邻晶圆容置槽边缘间的最短距离为0.2D～3D。

在本发明的一实施例中，晶圆载盘更包括中心平整区以及环绕中心平整区的晶圆设置区。旋转轴心穿过中心平整区的中心。第一虚拟环线与第二虚拟环线位于晶圆设置区。中心平整区的半径为0.5D～3D。中心平整区的表面是平坦的平面。

在本发明的一实施例中，中心平整区的厚度大于每一晶圆容置槽的深度。

在本发明的一实施例中，中心平整区的表面粗糙度小于晶圆容置槽的表面粗糙度。

本发明的一种金属有机化学气相沉积设备，其包括腔体、旋转装置、气体供应源以及晶圆载盘。旋转装置位于腔体中。气体供应源与腔体连通。晶圆载盘位于腔体中并设置于旋转装置上。晶圆载盘包括旋转轴心、第一虚拟环线、相邻于第一虚拟环线的第二虚拟环线以及多个晶圆容置槽。第一虚拟环线、第二虚拟环线以旋转轴心为圆心并具有不同的半径。多个晶圆容置槽彼此间隔且排列于第一虚拟环线与第二虚拟环线上。每一晶圆容置槽的直径为D。分别位于第一虚拟环线、第二虚拟环线上的任两相邻晶圆容置槽边缘间的最短距离为0.1D～5D。气体供应源将气体从腔体的上方注入至腔体中。晶圆载盘环绕旋转轴心旋转。

在本发明的一实施例中，分别位于第一虚拟环线、第二虚拟环线上的任两相邻晶圆容置槽之间的最短距离为0.2D～3D。