[发明专利]晶圆载盘以及金属有机化学气相沉积设备

权利要求书

1.一种晶圆载盘，其特征在于，包括：

旋转轴心；

第一虚拟环线；

第二虚拟环线，相邻于所述第一虚拟环线且所述第一虚拟环线、所述第二虚拟环线以所述旋转轴心为圆心并具有不同的半径；以及

多个晶圆容置槽，彼此间隔设置且排列于所述第一虚拟环线与所述第二虚拟环线上，其中每一晶圆容置槽的直径为D，分别位于所述第一虚拟环线、所述第二虚拟环线上的任两相邻晶圆容置槽边缘间的最短距离为0.1D～5D。

2.根据权利要求1所述的晶圆载盘，其特征在于，分别位于所述第一虚拟环线、所述第二虚拟环线上的任两相邻晶圆容置槽边缘间的最短距离为0.2D～3D。

3.根据权利要求1所述的晶圆载盘，其特征在于，还包括中心平整区以及环绕所述中心平整区的晶圆设置区，其中所述旋转轴心穿过所述中心平整区的中心，所述第一虚拟环线、所述第二虚拟环线与所述晶圆容置槽位于所述晶圆设置区，所述中心平整区的半径为0.5D～3D，且所述中心平整区的表面是平坦的平面。

4.根据权利要求3所述的晶圆载盘，其特征在于，所述中心平整区的厚度大于每一晶圆容置槽的深度。

5.根据权利要求3所述的晶圆载盘，其特征在于，所述表面在所述中心平整区的表面粗糙度小于所述晶圆容置槽的表面粗糙度。

6.一种金属有机化学气相沉积设备，其特征在于，包括：

腔体；

旋转装置，位于所述腔体中；

气体供应源，与所述腔体连通；以及

晶圆载盘，位于所述腔体中并设置于所述旋转装置上，所述晶圆载盘包括旋转轴心、第一虚拟环线、相邻于所述第一虚拟环线的第二虚拟环线以及多个晶圆容置槽，所述第一虚拟环线、所述第二虚拟环线以所述旋转轴心为圆心并具有不同的半径，所述多个晶圆容置槽彼此间隔且排列于所述第一虚拟环线与所述第二虚拟环线上，其中每一晶圆容置槽的直径为D，分别位于所述第一虚拟环线、所述第二虚拟环线上的任两相邻晶圆容置槽边缘间的最短距离为0.1D～5D，

其中所述气体供应源将气体从所述腔体的上方注入至所述腔体中，所述晶圆载盘环绕所述旋转轴心旋转。

7.根据权利要求6所述的金属有机化学气相沉积设备，其特征在于，分别位于所述第一虚拟环线、所述第二虚拟环线上的任两相邻晶圆容置槽之间的最短距离为0.2D～3D。

8.根据权利要求6所述的金属有机化学气相沉积设备，其特征在于，所述晶圆载盘还包括中心平整区以及晶圆设置区，其中所述旋转轴心穿过所述中心平整区的中心，所述第一虚拟环线、所述第二虚拟环线与所述晶圆容置槽位于所述晶圆设置区，所述中心平整区的半径为0.5D～3D，且所述中心平整区的表面是平坦的平面。

9.根据权利要求8所述的金属有机化学气相沉积设备，其特征在于，所述中心平整区的厚度大于每一晶圆容置槽的深度。

10.根据权利要求8所述的金属有机化学气相沉积设备，其特征在于，所述中心平整区的表面粗糙度小于所述晶圆容置槽的表面粗糙度。