[发明专利]一种多功能铝和氧化铝结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201711131411.4 | 申请日： | 2017-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN107833874A | 公开（公告）日： | 2018-03-23 |
| 发明（设计）人： | 薛维平 | 申请（专利权）人： | 上海芯石微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/535 | 分类号： | H01L23/535;H01L21/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201605 上海市松*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多功能 氧化铝 结构 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种多功能铝和氧化铝结构，其结构包括：引线孔区域，单晶硅101里面包含低阻单晶硅102，低阻单晶硅102上面是铝金属103；非引线孔区域，单晶硅101上面是氧化铝301。
2.一种多功能铝和氧化铝结构的制备方法，其方法包括：
A、铝金属淀积，在半导体器件表面淀积一层铝金属103；
B、铝金属光刻、氧原子注入及去胶，将铝金属布线外的区域注入氧原子，形成经过氧原子注入的铝金属201；
C、高温退火，将氧原子和铝原子进行化学反应，生成绝缘且性能稳定的氧化铝301。
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