[发明专利]一种LDO过冲保护电路及其实现方法

说明书

本发明公开了一种LDO过冲保护电路及其实现方法，所述电路包括：低压差线性稳压电路，用于产生稳定的初始低电压输出Vo_pre；输出控制电路，用于在第二高压VD25的控制下将所述初始低电压输出Vo_pre转换为译码电路电源电压Vout，本发明实现了对LDO的输出进行过冲保护，避免译码电路出现可靠性问题。

技术领域

本发明涉及一种过冲保护电路及其实现方法，特别是涉及一种LDO过冲保护电路及其实现方法。

背景技术

低功耗设计在银行卡，MCU等领域受到青睐，其中一种方法可以通过降低电源电压来降低系统功耗。工作在低电压的嵌入式闪存IP能降低外围电路的设计难度，同时使得整个系统能工作在低功耗模式。

由于译码电路的限制，在低电压模式时，闪存Flash需要内部低压差线性稳压电路(Low Dropout Regulator，LDO)产生一个1.5V的译码电路电源电压，给译码电路使用。

该电源电压要求：

当电源电压使能信号LVE＝0时，闪存Flash工作在电源电压VDD＝1.5V+/-10％，该VDD直接供译码电路使用；

当电源电压使能信号LVE＝1时，闪存Flash工作在电源电压VDD＝1.2V+/-10％，第一高压VDDQ＝1.65～5.5V，此时的电源电压VDD不能直接供译码电路使用，需要内部低压差线性稳压电路(LDO)产生一个1.5V的译码电路电源电压，给译码电路使用。

图1为传统低压差线性稳压电路(LDO)的电路结构图。如图1所示，传统的低压差线性稳压电路(LDO)由误差放大器AMP1、PMOS管P1、第一分压电阻R1和第二分压电阻R2组成，其输出提供给译码电路使用。参考电压VREF连接至误差放大器AMP1的反相输入端，误差放大器AMP1的输出端连接到低压PMOS管P1的栅极，低压PMOS管P1的漏极与第一分压电阻R1的一端相连组成输出电压节点Vout，第一分压电阻R1的另一端与第二分压电阻R2的一端相连组成采样电压输出节点并连接至误差放大器AMP1的同相输入端，第二分压电阻R2的另一端接地，误差放大器AMP1的电源正端连接至第一高压VDDQ，低压PMOS管P1的源极连接至第一高压VDDQ。然而，对于传统的低压差线性稳压电路，如果输出电压Vout输出时存在过冲，则会导致器件的可靠性问题。

发明内容

为克服上述现有技术存在的不足，本发明之目的在于提供一种LDO过冲保护电路及其实现方法，以对LDO的输出进行过冲保护，避免译码电路出现可靠性问题。

为达上述及其它目的，本发明提出一种LDO过冲保护电路，包括：

低压差线性稳压电路，用于产生稳定的初始低电压输出Vo_pre；

输出控制电路，用于在第二高压VD25的控制下将所述初始低电压输出Vo_pre转换为译码电路电源电压Vout。

进一步地，所述输出控制电路包括NHZ零管N1。

进一步地，所述NHZ零管N1漏极接所述初始低电压输出Vo_pre，栅极接所述第二高压VD25，源极输出所述译码电路电源电压Vout。

进一步地，所述低压差线性稳压电路包括误差放大器、低压PMOS管、第一分压电阻和第二分压电阻。

进一步地，一参考电压连接至所述误差放大器的反相输入端，所述误差放大器的输出端连接到低压PMOS管的栅极，低压PMOS管的漏极与第一分压电阻的一端以及所述NHZ零管N1的漏极相连组成所述初始低电压输出节点Vo_pre，所述第一分压电阻的另一端与第二分压电阻的一端相连组成采样电压输出节点并连接至所述误差放大器的同相输入端，所述第二分压电阻的另一端接地，所述误差放大器的电源正端连接至第一高压VDDQ，所述低压PMOS管的源极连接至所述第一高压VDDQ。