[发明专利]一种LDO过冲保护电路及其实现方法有效
申请号: | 201711127702.6 | 申请日: | 2017-11-15 |
公开(公告)号: | CN107749710B | 公开(公告)日: | 2020-05-01 |
发明(设计)人: | 徐依然;杨光军 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H02M3/156 | 分类号: | H02M3/156 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 ldo 保护 电路 及其 实现 方法 | ||
1.一种LDO过冲保护电路,包括:
低压差线性稳压电路,用于产生稳定的初始低电压输出Vo_pre,所述低压差线性稳压电路包括误差放大器、低压PMOS管、第一分压电阻和第二分压电阻;
输出控制电路,用于在第二高压VD25的控制下将所述初始低电压输出Vo_pre转换为译码电路电源电压Vout,所述输出控制电路包括NHZ零管N1;一参考电压连接至所述误差放大器的反相输入端,所述误差放大器的输出端连接到低压PMOS管的栅极,低压PMOS管的漏极与第一分压电阻的一端以及所述NHZ零管N1的漏极相连组成所述初始低电压输出节点Vo_pre,所述第一分压电阻的另一端与第二分压电阻的一端相连组成采样电压输出节点并连接至所述误差放大器的同相输入端,所述第二分压电阻的另一端接地,所述误差放大器的电源正端连接至第一高压VDDQ,所述低压PMOS管的源极连接至所述第一高压VDDQ,所述NHZ零管N1的漏极接所述初始低电压输出Vo_pre,所述NHZ零管N1的栅极接所述第二高压VD25,所述NHZ零管N1的源极输出所述译码电路电源电压Vout;当第一高压VDDQ先上电而电源电压VDD后上电时,所述第二高压VD25未建立,当所述电源电压VDD=0时,所述第二高压VD25无输出;所述第二高压VD25由所述电源电压VDD倍压产生;所述译码电路电源电压Vout随着所述第二高压VD25的建立逐渐变高直至稳定输出。
2.一种LDO过冲保护电路的实现方法,包括如下步骤:
步骤一,利用低压差线性稳压电路产生稳定的初始低电压输出Vo_pre,所述低压差线性稳压电路包括误差放大器、低压PMOS管、第一分压电阻和第二分压电阻;
步骤二,利用输出控制电路在第二高压VD25的控制下将初始低电压输出Vo_pre转换为译码电路电源电压Vout,以防止译码电路电源电压Vout出现过冲,所述输出控制电路包括NHZ零管N1;一参考电压连接至所述误差放大器的反相输入端,所述误差放大器的输出端连接到低压PMOS管的栅极,低压PMOS管的漏极与第一分压电阻的一端以及所述NHZ零管N1的漏极相连组成所述初始低电压输出节点Vo_pre,所述第一分压电阻的另一端与第二分压电阻的一端相连组成采样电压输出节点并连接至所述误差放大器的同相输入端,所述第二分压电阻的另一端接地,所述误差放大器的电源正端连接至第一高压VDDQ,所述低压PMOS管的源极连接至所述第一高压VDDQ,所述NHZ零管N1的漏极接所述初始低电压输出Vo_pre,所述NHZ零管N1的栅极接所述第二高压VD25,所述NHZ零管N1的源极输出所述译码电路电源电压Vout;当第一高压VDDQ先上电而电源电压VDD后上电时,所述第二高压VD25未建立,当所述电源电压VDD=0时,所述第二高压VD25无输出;所述第二高压VD25由所述电源电压VDD倍压产生;所述译码电路电源电压Vout随着所述第二高压VD25的建立逐渐变高直至稳定输出。
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