[发明专利]半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201711127693.0 | 申请日： | 2017-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN107946230B | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 刘张李 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/764 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
提供半导体基板，所述半导体基板包括依次层叠的衬底、第一绝缘层、第一半导体层、第二绝缘层及第二半导体层；
在所述第二半导体层中形成第一浅沟槽隔离结构；
刻蚀所述第一浅沟槽隔离结构、第二绝缘层及第一半导体层，暴露出所述第一绝缘层，形成倒梯形的沟槽；
在所述倒梯形沟槽中填充介质层形成第二浅沟槽隔离结构，且所述沟槽的底部形成空气间隙；
在所述半导体基板中形成通孔结构或外延层，采用所述通孔结构或外延层将所述第一半导体层电性接出。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，还包括：
在所述第二半导体层上方形成栅极；
对所述栅极两侧的第二半导体层进行离子注入，分别形成源区和漏区。
3.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一绝缘层为氧化硅，厚度为5nm～20nm。
4.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一半导体层为单晶硅，厚度为10nm～30nm。
5.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第二绝缘层为氧化硅，厚度为5nm～20nm。
6.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第二半导体层为单晶硅，厚度为10nm～30nm。
7.一种利用如权利要求1～6中任一项所述的半导体器件的制备方法制得的半导体器件，其特征在于，包括：
半导体基板，所述半导体基板包括衬底、第一绝缘层；
图形分布的第一半导体层，所述第一半导体层的周围具有空气间隙；
位于第一半导体层上方的第二半导体层，所述第二半导体层周围具有第一浅沟槽隔离结构；
所述第一半导体层与第二半导体层之间具有第二绝缘层；
所述第一半导体层之间具有第二浅沟槽隔离结构，且第二浅沟槽隔离结构延伸至所述空气间隙中。
8.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，还包括：位于所述第二半导体层上方的栅极；位于所述栅极两侧的源区和漏区。
9.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，还包括：位于所述半导体基板中的通孔结构或外延层，采用所述通孔结构或外延层将所述第一半导体层电性接出。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
