[发明专利]基于线路板生产工艺加工热敏电阻半导体的加工工艺在审

专利信息
申请号: 201711127689.4 申请日: 2017-11-15
公开(公告)号: CN107946010A 公开(公告)日: 2018-04-20
发明(设计)人: 倪蕴之;朱永乐;黄坤 申请(专利权)人: 江苏苏杭电子有限公司
主分类号: H01C7/02 分类号: H01C7/02;H05K3/46
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215341 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 基于 线路板 生产工艺 加工 热敏电阻 半导体 工艺
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种基于线路板生产工艺加工热敏电阻半导体的加工工艺。

背景技术

热敏电阻器是敏感元件的一类,按照温度系数不同分为正温度系数热敏电阻器(PTC)和负温度系数热敏电阻器(NTC)。热敏电阻器的典型特点是对温度敏感,不同的温度下表现出不同的电阻值。正温度系数热敏电阻器(PTC)在温度越高时电阻值越大,负温度系数热敏电阻器(NTC)在温度越高时电阻值越低,它们同属于半导体器件。

热敏电阻的主要特点是:①灵敏度较高,其电阻温度系数要比金属大10~100倍以上,能检测出10-6℃的温度变化;②工作温度范围宽,常温器件适用于-55℃~315℃,高温器件适用温度高于315℃(目前最高可达到2000℃),低温器件适用于-273℃~-55℃;③体积小,能够测量其他温度计无法测量的空隙、腔体及生物体内血管的温度;④使用方便,电阻值可在0.1~100kΩ间任意选择;⑤易加工成复杂的形状,可大批量生产;⑥稳定性好、过载能力强。

热敏电阻也可作为电子线路元件用于仪表线路温度补偿和温差电偶冷端温度补偿等。利用NTC热敏电阻的自热特性可实现自动增益控制,构成RC振荡器稳幅电路,延迟电路和保护电路。在自热温度远大于环境温度时阻值还与环境的散热条件有关,因此在流速计、流量计、气体分析仪、热导分析中常利用热敏电阻这一特性,制成专用的检测元件。PTC热敏电阻主要用于电器设备的过热保护、无触点继电器、恒温、自动增益控制、电机启动、时间延迟、彩色电视自动消磁、火灾报警和温度补偿等方面。

但现有的热敏电阻半导体加工工艺复杂,对设备要求、人员技能要求高,并且对环境污染严重。

发明内容

为了克服上述缺陷,本发明提供了一种基于线路板生产工艺加工热敏电阻半导体的加工工艺,采用线路板生产工艺加工热敏电阻半导体,不仅工艺简单易控,而且污染和投资少。

本发明为了解决其技术问题所采用的技术方案是:

一种基于线路板生产工艺加工热敏电阻半导体的加工工艺,包括以下步骤:

步骤1,将带有铜箔的热敏电阻材料采用低温烘的方式消除材料的应力;

步骤2,采用线路板内层制作的方法将内层铜箔的内层图形制作出来,经过棕化压合后将各个线路层压合起来;

步骤3,通过钻孔的方法将需要层间连接的地方通过线路板孔化的方式将各层连接起;

步骤4,按线路板的制作流程制作出外层、阻焊、表面处理和文字工序;

步骤5,切割、编带做成热敏电阻半导体。

作为本发明的进一步改进,在所述步骤1中,所述低温烘的方式是在115~120度下烘烤120分钟。

作为本发明的进一步改进,在所述步骤3中,钻孔后沉铜前进行等离子处理。

作为本发明的进一步改进,等离子处理后的48小时内完成沉铜工序。

作为本发明的进一步改进,在所述步骤4中,阻焊后先镀化学镍,然后电镀锡。

本发明的有益效果是:该基于线路板生产工艺加工热敏电阻半导体的加工工艺本方法是在线路板传统加工方法上研发出来的,采用本发明研究的加工工艺能大大的减少资金的重复性投入,大大的降低了生产过程中的环境污染问题,还能批量生产出品质稳定的热敏电阻半导体,不仅如此还对现有的线路板生产厂家来说大大的拓展了其业务范围,此发明是对半导体加工方法的一次技术性的工艺改良,具有很高的经济效益和社会效益,利用现有线路板的设备和技术人员,达到热敏电阻半导体的生产工艺,改善我们国家在半导体生产方面严重依赖进口的困境。

附图说明

图1为本发明结构示意图。

具体实施方式

结合附图,对本发明作详细说明,但本发明的保护范围不限于下述实施例,即但凡以本发明申请专利范围及说明书内容所作的简单的等效变化与修饰,皆仍属本发明专利涵盖范围之内。

参阅图1,为本发明所述的一种基于线路板生产工艺加工热敏电阻半导体的加工工艺,包括以下步骤:

步骤1,将带有铜箔3的热敏电阻材料1采用低温烘的方式消除材料的应力,即在115~120度下烘烤120分钟;

步骤2,采用线路板内层制作的方法将内层铜箔的内层图形制作出来,经过棕化压合后将各个线路层压合起来(铜箔层之间设置半固化片PP 2);

步骤3,通过钻孔4的方法将需要层间连接的地方通过线路板孔化的方式将各层连接起,其中,钻孔后沉铜前进行等离子处理,且等离子处理后的48小时内完成沉铜工序;

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