[发明专利]集成电路结构及其形成方法有效

专利信息
申请号: 201711126183.1 申请日: 2017-11-14
公开(公告)号: CN109786273B 公开(公告)日: 2021-02-12
发明(设计)人: 陈彧 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L23/492
代理公司: 上海德禾翰通律师事务所 31319 代理人: 侯莉
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 集成电路 结构 及其 形成 方法
【说明书】:

发明公开了一种集成电路结构及其形成方法,包括:提供基板和芯片;形成与基板相邻的第一阻焊层,并在第一阻焊层上形成凹槽,凹槽形成于与芯片边沿相对应的位置;形成填充材料,填充材料形成于芯片与第一阻焊层之间,且至少填充部分的凹槽;和热处理填充材料,以使填充材料固化。填充材料填充进入第一阻焊层表面形成的凹槽内,增加了填充材料与第一阻焊层之间的结合力,避免填充材料发生翘曲。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域,特别涉及一种集成电路结构及其形成方法。

背景技术

芯片封装结束后,芯片通过焊球被焊接在印刷基板(Printed Circuit Board,PCB)上,如倒片封装(Flip Chip Package,FCP)。一般的,在PCB表面上会形成一层阻焊层,用于保护PCB表面,并起到绝缘作用。但是,芯片与阻焊层之间会出现间隙。为了避免间隙的存在,同时也为了将芯片固定在基板表面,目前现有技术,采用向芯片与阻焊层之间的间隙填入填充材料的方法。通过升温固化填充材料,将芯片固定在基板的表面。

但是,在现有技术中,固化后的填充材料在芯片边缘的位置容易发生翘曲,导致填充材料与阻焊层表面发生剥离,大大减弱了填充材料与阻焊层之间的结合力,不能有效固定芯片,进而降低了芯片与基板的连接强度。

因此,现有技术亟需一种能提高填充材料与阻焊层之间的结合力,同时又避免出现填充材料与阻焊层发生剥离现象的集成电路结构及其形成方法。

发明内容

本发明的实施例公开了一种集成电路结构及其形成方法,形成两层阻焊层,并且使得填充材料在阻焊层内呈现特殊结构,增加填充材料与阻焊层之间的结合力,从而较好地连接芯片与基板。

本发明提供了一种集成电路结构,包括:基板;芯片;与基板相邻设置的第一阻焊层,第一阻焊层设置有凹槽,凹槽设置于与芯片边缘相对应的位置,和填充材料,填充材料设置于芯片和第一阻焊层之间,且至少填充部分的凹槽。

根据本发明的一个方面,凹槽设置于与芯片边缘相对应的位置的外周。

根据本发明的一个方面,第一阻焊层为干膜阻焊层或湿膜阻焊层。

根据本发明的一个方面,第一阻焊层还包括第一焊球孔,第一焊球孔用于设置焊球,以焊接芯片与基板上的铜线。

根据本发明的一个方面,还包括:第二阻焊层,第二阻焊层设置于第一阻焊层和芯片之间,第二阻焊层包括第二阻焊层主体和开孔,开孔设置成与第一阻焊层的凹槽相对应连通,第二阻焊层主体覆盖部分凹槽的开口,填充材料设置于第二阻焊层与芯片之间,填充材料至少填充部分的开孔和凹槽。

根据本发明的一个方面,开孔间隔设置于与芯片边缘相对应的位置的周围。

根据本发明的一个方面,开孔与凹槽相连通位置的宽度尺寸大于等于10μm。

根据本发明的一个方面,第二阻焊层为干膜阻焊层。

根据本发明的一个方面,第二阻焊层还包括第二焊球孔,第二焊球孔与第一焊球孔相连通,用于设置焊球,以焊接芯片与基板上的铜线。

本发明还公开了一种集成电路结构的形成方法,包括:提供基板和芯片;形成与基板相邻的第一阻焊层,并在第一阻焊层上形成凹槽,凹槽形成于与芯片边沿相对应的位置;形成填充材料,填充材料形成于芯片与第一阻焊层之间,且至少填充部分的凹槽;和热处理填充材料,以使填充材料固化。

根据本发明的一个方面,凹槽形成于与芯片边缘相对应的位置的外周。

根据本发明的一个方面,形成的第一阻焊层为干膜阻焊层或湿膜阻焊层。

根据本发明的一个方面,在形成第一阻焊层后,还包括:在第一阻焊层上形成第一焊球孔,用于设置焊球,以焊接芯片与基板上的铜线。

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