[发明专利]集成电路结构及其形成方法

权利要求书

1.一种集成电路结构，其特征在于，包括：

基板；

芯片；

与所述基板相邻设置的第一阻焊层，所述第一阻焊层设置有凹槽，所述凹槽设置于与所述芯片边缘相对应的位置，

填充材料，所述填充材料设置于所述芯片和所述第一阻焊层之间，且至少填充部分的所述凹槽；

第二阻焊层，所述第二阻焊层设置于所述第一阻焊层和所述芯片之间，所述第二阻焊层包括第二阻焊层主体和开孔，所述开孔设置成与所述第一阻焊层的凹槽相对应连通，所述第二阻焊层主体覆盖部分所述凹槽的开口，所述填充材料设置于所述第二阻焊层与所述芯片之间，所述填充材料至少填充部分的所述开孔和所述凹槽。

2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，所述凹槽设置于与所述芯片边缘相对应的位置的外周。

3.根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，所述第一阻焊层为干膜阻焊层或湿膜阻焊层。

4.根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，所述第一阻焊层还包括：第一焊球孔，所述第一焊球孔用于设置焊球，以焊接所述芯片与所述基板上的铜线。

5.根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，所述开孔间隔设置于与所述芯片边缘相对应的位置的周围。

6.根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，所述开孔与所述凹槽相连通位置的宽度尺寸大于等于10μm。

7.根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，所述第二阻焊层为干膜阻焊层。

8.根据权利要求4所述的集成电路结构，其特征在于，所述第二阻焊层还包括第二焊球孔，所述第二焊球孔与所述第一焊球孔相连通，用于设置焊球，以焊接所述芯片与所述基板上的铜线。

9.一种集成电路结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基板和芯片；

形成与基板相邻的第一阻焊层，并在所述第一阻焊层上形成凹槽，所述凹槽形成于与所述芯片边沿相对应的位置；

形成填充材料，所述填充材料形成于所述芯片与所述第一阻焊层之间，且至少填充部分的所述凹槽；和

热处理所述填充材料，以使所述填充材料固化；

其中，在形成所述第一阻焊层后，热处理所述填充材料前，还包括：

形成与所述第一阻焊层相邻的第二阻焊层；

在所述第二阻焊层上形成开孔，使所述第二阻焊层包括第二阻焊层主体和所述开孔，所述开孔与所述凹槽相连通，且所述第二阻焊层主体覆盖部分所述凹槽的开口；和

在所述芯片与所述第二阻焊层之间形成填充材料，所述填充材料至少填充部分的所述开孔与所述凹槽。

10.根据权利要求9所述的集成电路结构的形成方法，其特征在于，所述凹槽形成于与所述芯片边缘相对应的位置的外周。

11.根据权利要求9所述的集成电路结构的形成方法，其特征在于，形成的所述第一阻焊层为干膜阻焊层或湿膜阻焊层。

12.根据权利要求9所述的集成电路结构的形成方法，其特征在于，在形成所述第一阻焊层后，还包括：

在所述第一阻焊层上形成第一焊球孔，用于设置焊球，以焊接所述芯片与所述基板上的铜线。

13.根据权利要求9所述的集成电路结构的形成方法，其特征在于，所述开孔间隔形成于与所述芯片边缘相对应的位置的周围。

14.根据权利要求9所述的集成电路结构的形成方法，其特征在于，所述填充材料充满所述开孔和所述凹槽。

15.根据权利要求9所述的集成电路结构的形成方法，其特征在于，所述开孔与所述凹槽相连通的位置的宽度尺寸大于等于10μm。