[发明专利]一种离子注入设备及其控制方法

说明书

本发明实施例提供一种离子注入设备及其控制方法，涉及显示技术领域，能够降低在调整分析磁场的磁场强度的阶段中，离子束和分析磁场的内外壁碰撞产生的杂质颗粒进入到离子注入腔室中的数量。该离子注入设备包括离子源、射束线装置、离子注入腔室、以及位于离子注入腔室内的监控装置，监控装置用于在调整射束线装置的分析磁场的磁场强度的阶段，对经射束线装置进入离子注入腔室的离子束的电流进行监控。离子注入设备还包括用于调节离子束入口的打开程度的调节件，调节件设置在离子注入腔室的离子束入口所在位置处，调节件用于在调整射束线装置的分析磁场的磁场强度的阶段，对离子注入腔室的离子束入口的部分进行遮挡。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种离子注入设备及其控制方法。

背景技术

离子注入设备(Ion Doping System)在进行离子注入之前，会自动引出离子束(Ion Beam)。在离子束自动引出过程中，需要对射束线装置的分析磁场(Beam Line)的磁场强度进行调节，以确定分析磁场的最佳磁场强度，这一过程又称为Mass Search过程。具体的，不断改变分析磁场的磁场强度，并通过如图1a所示的监控装置301对离子束的电流(Beam Current)进行监控，以确定出最佳的磁场强度。在该最佳磁场强度的分析磁场201的作用下，离子束可以沿预设方向进入离子注入腔室30中。在Mass Search过程中，由于磁场强度的改变，引出的离子束会与分析磁场201的内外壁的碳板碰撞，导致分析磁场201中产生大量如图1a所示的杂质颗粒(Particle)P，如图1b所示，这些杂质颗粒P会被带入到离子注入腔室(也称Process Chamber)30中。

由于离子束自动引出过程中，待注入基板(Glass)已在离子注入腔室30中的承载基板(也称Platen)上等待注入，因此，Mass Search过程中带出的杂质颗粒P会附着到待注入基板的表面。由于杂质颗粒P通常为分析磁场201的内外壁的颗粒，在被杂质颗粒P所挡的位置处通过离子注入方式形成TFT(英文全称：Thin Film Transistor，英文简称：薄膜晶体管)时，杂质颗粒P会使得形成的TFT的电学特性受到影响。从目前的监控数据来看，只要离子注入设备进行Mass Search过程，均存在首张待注入基板上杂质颗粒P数量较高的问题，随着离子注入工艺的进行，其余待注入基板上杂质颗粒P的数量明显下降。

发明内容

本发明的实施例提供一种离子注入设备及其控制方法，能够降低在调整分析磁场的磁场强度的阶段中，离子束和分析磁场的内外壁碰撞产生的杂质颗粒进入到离子注入腔室中的数量。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

本发明实施例的第一方面提供一种离子注入设备，包括离子源、射束线装置和离子注入腔室，其特征在于，还包括：位于所述离子注入腔室内的监控装置，所述监控装置用于在调整所述射束线装置的分析磁场的磁场强度的阶段，对经所述射束线装置进入所述离子注入腔室的离子束的电流进行监控；用于调节所述离子注入腔室的离子束入口的打开程度的调节件，所述调节件设置在所述离子注入腔室的离子束入口所在位置处，所述调节件用于在调整所述射束线装置的分析磁场的磁场强度的阶段，对所述离子注入腔室的离子束入口的部分进行遮挡。

可选的，所述离子注入设备还包括与所述调节件相连接的控制装置，所述控制装置用于控制所述调节件，以对所述离子注入腔室的离子束入口的打开程度进行调节。

可选的，所述调节件包括调节阀。

可选的，所述离子注入设备包括相对设置的两个调节阀，两个所述调节阀分别遮挡所述离子注入腔室的离子束入口中相对的两部分，两个所述调节阀之间具有一间隙。

可选的，所述调节件包括挡板和用于驱动所述挡板移动的驱动装置。