[发明专利]一种离子注入设备及其控制方法有效
申请号: | 201711123553.6 | 申请日: | 2017-11-14 |
公开(公告)号: | CN107919261B | 公开(公告)日: | 2020-02-28 |
发明(设计)人: | 李儒健;傅永义;谭超;经好;刘晨亮;张新慧;罗康 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01J37/317 | 分类号: | H01J37/317;H01J37/02;H01J37/08;H01J37/244 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 离子 注入 设备 及其 控制 方法 | ||
1.一种离子注入设备,包括离子源、射束线装置和离子注入腔室,其特征在于,还包括:
位于所述离子注入腔室内的监控装置,所述监控装置用于在调整所述射束线装置的分析磁场的磁场强度的阶段,对经所述射束线装置进入所述离子注入腔室的离子束的电流进行监控;
用于调节所述离子注入腔室的离子束入口的打开程度的调节件,所述调节件设置在所述离子注入腔室的离子束入口所在位置处,所述调节件用于在调整所述射束线装置的分析磁场的磁场强度的阶段,对所述离子注入腔室的离子束入口的部分进行遮挡;在调整所述射束线装置的分析磁场的磁场强度后,等待预定时间,所述调节件还用于将所述离子束入口的打开程度调节至最大。
2.根据权利要求1所述的离子注入设备,其特征在于,所述离子注入设备还包括与所述调节件相连接的控制装置,所述控制装置用于控制所述调节件,以对所述离子注入腔室的离子束入口的打开程度进行调节。
3.根据权利要求1所述的离子注入设备,其特征在于,所述调节件包括调节阀。
4.根据权利要求3所述的离子注入设备,其特征在于,所述离子注入设备包括相对设置的两个所述调节阀,两个所述调节阀分别遮挡所述离子注入腔室的离子束入口中相对的两部分,两个所述调节阀之间具有一间隙。
5.根据权利要求1所述的离子注入设备,其特征在于,所述调节件包括挡板和用于驱动所述挡板移动的驱动装置。
6.根据权利要求5所述的离子注入设备,其特征在于,所述挡板包括第一挡板和第二挡板,所述第一挡板和所述第二挡板分别设置在所述离子注入腔室的离子束入口沿第一方向上的相对两侧,且分别在所述驱动装置的驱动下可沿所述第一方向移动,以分别遮挡所述离子注入腔室的离子束入口中相对的两部分。
7.一种控制离子注入设备的方法,其特征在于,在对待注入基板进行离子注入之前,所述待注入基板与离子注入腔室的离子束入口不相对的情况下,所述控制离子注入设备的方法包括:
控制调节件对所述离子注入腔室的离子束入口的部分进行遮挡;
控制离子源生成离子,并引出离子束至射束线装置中;
根据监控装置对经所述射束线装置进入所述离子注入腔室的离子束的电流监控的结果,调整所述射束线装置的分析磁场的磁场强度;
在调整所述射束线装置的分析磁场的磁场强度的步骤完成后,所述控制离子注入设备的方法还包括:等待预定时间,控制所述调节件,以将所述离子注入腔室的离子束入口的打开程度调节至最大,并将所述待注入基板移动至与所述离子注入腔室的离子束入口相对的位置,以对所述待注入基板进行离子注入。
8.根据权利要求7所述的控制离子注入设备的方法,其特征在于,在所述调节件包括调节阀的情况下,所述控制调节件对所述离子注入腔室的离子束入口的部分进行遮挡包括:关闭调节阀;
或者,在所述调节件包括第一挡板和第二挡板的情况下,所述控制调节件对所述离子注入腔室的离子束入口的部分进行遮挡包括:
控制驱动装置驱动所述第一挡板和所述第二挡板分别沿所述离子注入腔室的离子束入口的第一方向移动,以分别遮挡所述离子注入腔室的离子束入口中相对的两部分;其中,所述第一挡板和所述第二挡板均对所述离子注入腔室的离子束入口的部分进行遮挡时,在所述第一方向上,所述第一挡板和所述第二挡板之间具有一间隙。
9.根据权利要求8所述的控制离子注入设备的方法,其特征在于,在所述调节件包括第一挡板和第二挡板的情况下,控制驱动装置驱动所述第一挡板和所述第二挡板分别沿所述离子注入腔室的离子束入口的所述第一方向移动,以分别遮挡所述离子注入腔室的离子束入口中相对的两部分,且在所述第一方向上,所述第一挡板和所述第二挡板之间具有一间隙;并将所述待注入基板移动至与所述离子注入腔室的离子束入口相对的位置,以对所述待注入基板与所述间隙相对的区域进行离子注入。
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