[发明专利]一种A3 有效
| 申请号： | 201711114797.8 | 申请日： | 2017-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN107652445B | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 董育斌;姜嫄;阚京兰 | 申请（专利权）人： | 山东师范大学 |
| 主分类号： | C08G83/00 | 分类号： | C08G83/00;A61K41/00;A61P35/00 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 郑平 |
| 地址： | 250014 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 base sub | ||
1.一种A3B型单巯基卟啉修饰的金属有机框架纳米材料的制备方法，其特征在于，包括：将UiO-66分散在单巯基卟啉溶液中，混合，固液分离、洗涤、活化、干燥，即得到固体产品UiO-66-H2TClPP-(SH)1；所述活化指的是将固体浸没到二氯甲烷中,浸泡5-7小时；所述单巯基卟啉溶液为A3B型单巯基卟啉溶液；所述UiO-66-H2TClPP-(SH)1指的是通过后修饰合成法将H2TClPP-(SH)1修饰到UiO-66材料得到的金属有机框架纳米材料；所述H2TClPP-(SH)1的结构式为：
2.如权利要求1所述的一种A3B型单巯基卟啉修饰的金属有机框架纳米材料的制备方法，其特征在于，所述UiO-66与单巯基卟啉的质量比为15～17。
3.如权利要求1所述的一种A3B型单巯基卟啉修饰的金属有机框架纳米材料的制备方法，其特征在于，所述UiO-66的平均粒径为200nm。
4.如权利要求1所述的一种A3B型单巯基卟啉修饰的金属有机框架纳米材料的制备方法，其特征在于，所述A3B型单巯基卟啉的制备方法为：
(a)将H2TClPP-(COOH)1与二氯亚砜在有机溶剂中反应，反应结束后，蒸干溶剂，加入四氢呋喃，得第一反应溶液；
(b)将1,2-二巯基乙烷和三乙胺溶于四氢呋喃，得第二反应溶液；
(c)将第二反应溶液滴加到第一反应溶液中，室温下搅拌反应1.5～2h；
(d)步骤(c)反应所得溶液进行纯化，得到H2TClPP-(SH)1；
所述H2TClPP-(COOH)1化学名称是5-(4-羧基苯基)-10,15,20-三(4-氯苯基)卟啉。
5.如权利要求1所述的一种A3B型单巯基卟啉修饰的金属有机框架纳米材料的制备方法，其特征在于，所述分散在超声条件下进行，时间为20～25min。
6.如权利要求1所述的一种A3B型单巯基卟啉修饰的金属有机框架纳米材料的制备方法，其特征在于，所述混合时间为24～32h。
7.如权利要求1所述的一种A3B型单巯基卟啉修饰的金属有机框架纳米材料的制备方法，其特征在于，所述活化是将固体浸没到二氯甲烷中，浸泡5～7小时。
8.权利要求1-7任一项所述的方法制备的A3B型单巯基卟啉修饰的金属有机框架纳米材料。
9.A3B型单巯基卟啉通过权利要求1所述的后修饰合成的方法在提高UiO-66光敏特性、分散性和稳定性中的应用，其特征在于，所述A3B型单巯基卟啉的结构式为：
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