[发明专利]太阳能电池固化工具在审
| 申请号: | 201711114645.8 | 申请日: | 2017-11-13 |
| 公开(公告)号: | CN108075012A | 公开(公告)日: | 2018-05-25 |
| 发明(设计)人: | 佩里纳·雅弗雷努;吉勒·奥拉夫·唐吉·普兰;基兰·马克·特雷西;邱泰庆;迈克尔·C·约翰逊;林承笵 | 申请(专利权)人: | 太阳能公司;道达尔销售服务公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 顾丽波;张娜 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 太阳能电池 固化 背接触太阳能电池 退火 光接收表面 辐射固化 后端处理 沉积 制造 曝光 申请 | ||
本申请公开了一种利用太阳能电池的光接收表面的UV固化来制造太阳能电池的固化工具以及得到的太阳能电池。在示例中,固化工具将UV曝光级和一个或多个沉积或退火级相结合以制造太阳能电池。例如,辐射固化级可以在用于在背接触太阳能电池上执行操作的后端处理级之前。因此可以使用固化工具来执行提高太阳能电池的UV稳定性的方法。
交叉引用
本申请要求于2016年11月11日提交的美国临时专利申请No.62/421,179的优先权,其全部内容通过引用合并于此。
技术领域
本公开的实施例属于可再生能源领域,特别是太阳能电池的光接收表面的紫外线固化。
背景技术
光伏电池(通常被称为太阳能电池)是众所周知的用于将太阳辐射直接转换成电能的装置。通常,使用半导体处理技术在衬底的表面附近形成p-n结来在半导体晶片或衬底上制造太阳能电池。打在衬底表面并进入衬底的太阳能辐射在大块的衬底中产生电子和空穴对。电子和空穴对迁移到衬底中的p掺杂区和n掺杂区,由此在掺杂区之间产生电压差。掺杂区连接到太阳能电池上的导电区,以将电流从电池引导到与其耦接的外部电路。
发明内容
一种太阳能电池固化工具,包括:辐射固化级,其包括发射电磁辐射的辐射源;一个或多个沉积级或退火级;以及传输机系统,其包括可操作地耦接至晶片平台的制动器,其中,所述晶片平台具有面向所述辐射源的保持表面以接收发射的电磁辐射,并且其中,所述传输机系统移动所述晶片平台通过所述辐射固化级和所述一个或多个沉积级或所述退火级。
附图说明
图1示出了根据本公开的实施例的用于制造太阳能电池的固化工具的示意图。
图2A至图2B示出了根据本公开的实施例的用于制造太阳能电池的固化工具的各种辐射源构造。
图3示出了根据本公开的实施例的用于制造太阳能电池的固化工具的辐射固化级的侧面示图。
图4示出了根据本公开的实施例的用于制造太阳能电池的固化工具的传输机系统的一部分的侧面示图。
图5A至图5F示出了根据本公开的实施例的制造太阳能电池各个阶段的截面图。
图6A至图6B示出了根据本公开的实施例的传输机系统的晶片平台的保持表面的详细示图。
图7示出了根据本公开的实施例的传输机系统的晶片平台的俯视图和截面图。
具体实施方式
下面的详细描述本质上仅仅是说明性的,并不旨在限制主题的实施例或这些实施例的应用和使用。如本文所使用的,词语“示例性”意味着“用作示例、实例或说明”。本文描述为示例性的任何实现方案不一定被解释为比其他实现方案优选或有利。此外,并不旨在受到在前述技术领域、背景技术、发明内容或以下具体实施方式呈现的任何表达或暗示的理论的束缚。
本说明书包括对“一个实施例”或“实施例”的提及。短语“在一个实施例中”或“在实施例中”的出现不一定指代同一实施例。特定的特征、结构或特性可以以与本公开一致的任何合适的方式组合。
术语。以下段落提供了本公开(包括所附权利要求书)中发现的术语的定义和/或语境:
“包括”。该术语是开放式的。如所附权利要求中所使用的,该术语不排除另外的结构或步骤。
“构造为”可以将各种单元或组件描述或声称为“构造为”执行一个或多个任务。在这样的语境中,“构造为”被用于通过指示这些单元/组件包括操作期间执行所述一个或多个任务的结构来暗示结构。这样,单元/组件可以被认为是甚至当特定的单元/组件当前不可操作(例如,未开启/激活)时执行任务。表达单元/电路/组件被“构造为”执行一个或多个任务明确地表示该单元/电路/组件不违反35U.S.C.§112,第六款。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于太阳能公司;道达尔销售服务公司,未经太阳能公司;道达尔销售服务公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711114645.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:平面雪崩光电二极管
- 下一篇:一种纳米级光伏焊带涂层的制备方法以及光伏组件
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





