[发明专利]半导体发光器件及其制造方法

说明书

本发明公开了一种半导体发光器件及其制造方法，半导体发光器件包括基板、设置在基板上的至少一正极焊盘和至少一负极焊盘、设置在基板上的至少一半导体发光芯片、设置在基板上并包裹半导体发光芯片的荧光粉层、以及设置在荧光粉层内侧的绝缘层；半导体发光芯片的正极和负极分别与正极焊盘和负极焊盘电连接；绝缘层位于荧光粉层内表面的部分或全部与基板表面的部分或全部之间；和/或，位于荧光粉层内表面的部分或全部与半导体发光芯片侧面的部分或全部之间。本发明的半导体发光器件，通过设置结构层对半导体发光芯片侧面的遮挡，防止半导体发光芯片侧面出光，增强半导体发光芯片的正面出光，适用于制备中心光强要求高、发光角度要求小的照明灯具。

技术领域

本发明涉及半导体发光器件技术领域，尤其涉及一种半导体发光器件及其制造方法。

背景技术

随着发光效率的提升和制造成本的下降，半导体发光光源已被广泛应用于背光、显示和照明等领域。半导体发光光源包括有LED、COB、模组、灯板、灯条等多种类型。在不久的将来，半导体发光光源有可能替代传统光源成为普通照明的主要光源。

常见的半导体发光光源(半导体发光器件)结构如图1所示，其包括基板1、设置在基板上的荧光粉层2、半导体发光芯片3、芯片正极4a和芯片负极4b、正极焊盘5a和负极焊盘5b、正极焊垫6a、负极焊垫6b和导热焊垫7；荧光粉层2在基板1上覆盖半导体发光芯片3，芯片正极4a与正极焊盘5a电连接，芯片负极4b与负极焊盘5b电连接，正极焊垫6a和负极焊垫6b分别连接正极焊盘5a和负极焊盘5b。

由图1所示现有的半导体发光光源结构可知，半导体发光芯片3往往具有一定的厚度(100-150微米)，在包裹了荧光粉层2后，其出光面不仅仅包括了正面，还包括了侧面，侧面出光量可占到总出光量的10-30％，发光角度大于150度。对于要求中心照度和小发光角度的应用场合，侧面出光不仅影响正面出光量，侧面出光会成为杂散光，影响被照面的光形或炫光严重。

在半导体发光光源中，一般采用硅胶作为荧光粉层的基础材料。由于硅胶具有一定透气性，环境中的水气、硫化物、卤化物等都会通过硅胶基的荧光粉层进入到半导体发光芯片表面、基板表面和半导体发光芯片与基板焊接处，这会导致表面硫化与卤化，产生严重光衰，甚至失效。

因此，由于上述半导体发光光源结构存在本质的缺陷和不足，无法解决半导体发光器件正面光强和小发光角度问题，所制备的半导体发光器件，特别是在恶劣环境下使用时，存在寿命短，衰减快，可靠性差等问题。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于，提供一种实现小发光角度、增强中心光强的半导体发光器件及其制造方法。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：提供一种半导体发光器件，包括基板、设置在所述基板上的至少一个正极焊盘和至少一个负极焊盘、设置在所述基板上的至少一个半导体发光芯片、设置在所述基板上并包裹所述半导体发光芯片的荧光粉层、以及设置在所述荧光粉层内侧的绝缘层；所述半导体发光芯片的正极和负极分别与所述正极焊盘和负极焊盘电连接；

所述绝缘层位于所述荧光粉层内表面的部分或全部与所述基板表面的部分或全部之间；和/或，所述绝缘层位于所述荧光粉层内表面的部分或全部与所述半导体发光芯片侧面的部分或全部之间。

优选地，所述绝缘层的高度自临近所述半导体发光芯片侧面的一端到远离所述半导体发光芯片侧面的另一端逐渐递减。

优选地，所述绝缘层的材料包括硅胶、树脂、玻璃釉、液体玻璃、油墨以及涂料中一种或多种组合。

优选地，所述绝缘层的材料还掺有无机粉末；所述无机粉末包括微米、亚微米、纳米粒径的玻璃粉、陶瓷粉、金属粉、合金粉、氧化物粉和氮化物粉中的一种或多种。

优选地，所述荧光粉层的材料包括硅胶、树脂、玻璃釉、油墨以及涂料中的一种或多种组合，并掺有一种或多种荧光粉。