[发明专利]半导体发光器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体发光器件，其特征在于，包括基板、设置在所述基板上的至少一个正极焊盘和至少一个负极焊盘、设置在所述基板上的至少一个半导体发光芯片、设置在所述基板上并包裹所述半导体发光芯片的荧光粉层、以及设置在所述荧光粉层内侧的绝缘层；所述半导体发光芯片的正极和负极分别与所述正极焊盘和负极焊盘电连接；

所述绝缘层位于所述荧光粉层内表面的部分或全部与所述基板表面的部分或全部之间；和/或，所述绝缘层位于所述荧光粉层内表面的部分或全部与所述半导体发光芯片侧面的部分或全部之间。

2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，所述绝缘层的高度自临近所述半导体发光芯片侧面的一端到远离所述半导体发光芯片侧面的另一端逐渐递减。

3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，所述绝缘层的材料包括硅胶、树脂、玻璃釉、液体玻璃、油墨以及涂料中一种或多种组合；

所述荧光粉层的材料包括硅胶、树脂、玻璃釉、油墨以及涂料中的一种或多种组合，并掺有一种或多种荧光粉。

4.根据权利要求3所述的半导体发光器件，其特征在于，所述绝缘层的材料还掺有无机粉末；所述无机粉末包括微米、亚微米、纳米粒径的玻璃粉、陶瓷粉、金属粉、合金粉、氧化物粉和氮化物粉中的一种或多种。

5.根据权利要求1-4任一项所述的半导体发光器件，其特征在于，所述半导体发光器件还包括设置在所述荧光粉层上的至少一遮光层；所述遮光层上设有至少一开口，裸露出部分所述荧光粉层。

6.根据权利要求5所述的半导体发光器件，其特征在于，所述遮光层的材料包括铝及其合金、金及其合金、银及其合金、镍及其合金、钛及其合金、玻璃釉、油墨、液体玻璃、涂料、氧化钛、氧化锌、氧化硅、氮化铝、氮化硅以及氧化铝中的一种或多种组合。

7.根据权利要求5所述的半导体发光器件，其特征在于，所述遮光层的材料包括硅胶、树脂、液体玻璃、玻璃釉、油墨以及涂料中的一种或多种组合，并掺有无机粉末；所述无机粉末包括微米、亚微米、纳米粒径的玻璃粉、陶瓷粉、金属粉、合金粉、氧化物粉以及氮化物粉中的一种或多种组合。

8.一种半导体发光器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、在基板上制备正极焊盘和负极焊盘；

S2、将半导体发光芯片固定在所述基板表面上，并将所述半导体发光芯片的正极和负极分别与所述正极焊盘和负极焊盘电连接；

S3、将绝缘料液设置在所述基板表面的部分或全部上，和/或所述半导体发光芯片侧面的部分或全部上，形成绝缘层；

S4、将荧光料液设置在所述半导体发光芯片的裸露表面和裸露侧面的部分或全部上、以及所述绝缘层表面的部分或全部上，形成包裹所述半导体发光芯片的荧光粉层；

所述绝缘层位于所述基板表面的部分或全部与所述荧光粉层内表面的部分或全部之间；和/或，位于所述半导体发光芯片侧面的部分或全部与所述荧光粉层内表面的部分或全部之间。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，步骤S3中，所述绝缘层为所述绝缘料液通过喷涂、点胶、旋涂、印刷中的一种或多种方式形成；所述绝缘料液为绝缘胶液或绝缘浆液；

步骤S4中，所述荧光粉层为所述荧光料液通过喷涂、模压、膜压、点胶、蒸镀、印刷中的一种或多种方式形成；所述荧光料液为荧光胶液或荧光浆液。

10.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括以下步骤：

S5、在所述荧光粉层上预留出开口位置，并在开口位置外的所述荧光粉层表面上设置遮光层，所述开口位置形成所述遮光层的开口，裸露出部分所述荧光粉层。