[发明专利]显示装置和显示装置的制造方法有效
申请号: | 201711106322.4 | 申请日: | 2017-11-10 |
公开(公告)号: | CN107946341B | 公开(公告)日: | 2020-05-22 |
发明(设计)人: | 于泉鹏;冷传利;刘聪慧;李哲;李喜烈 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56;H04N5/225 |
代理公司: | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
地址: | 201201 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 制造 方法 | ||
本发明公开了一种显示装置和显示装置的制造方法,属于显示技术领域,包括:显示面板和摄像头;显示面板包括显示区、围绕显示区的非显示区、第一透光区;显示区围绕第一透光区设置;摄像头向显示面板的正投影位于第一透光区内;显示面板包括依次堆叠设置的衬底层、薄膜晶体管器件层、有机发光二极管器件层;第一透光区中的衬底层的厚度为d1,第一透光区以外的衬底层的厚度为d2,d1<d2。将第一透光区中的衬底层的厚度减薄,可以提高第一透光区中衬底层的光线透过率。相对于现有技术,无需将显示面板设置为特殊的形状以避开摄像头所在的区域,有利于提高屏占比,提升用户体验。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,更具体地,涉及一种显示装置和显示装置的制造方法。
背景技术
随着显示技术的发展,手机等终端显示装置追求越来越高的屏占比。
请参考图1,图1是现有技术提供的一种显示装置的结构示意图。图1所示的显示装置包括壳体01和显示面板02,壳体中设置有前置摄像头03。
为了提升用户体验,研发人员希望显示面板02在壳体01中具有更高的占比。然而受限于前置摄像头03的设置,显示面板02需要设置成特殊的形状以避开前置摄像头03所在的区域,显示面板02的形状受到限制,不利于实现更高的屏占比。
发明内容
有鉴于此,本发明提供了一种显示装置和显示装置的制造方法。
本发明提供了一种显示装置,包括:显示面板和摄像头;摄像头的镜头朝向显示面板的方向设置;显示面板包括显示区、围绕显示区的非显示区、第一透光区;显示区围绕第一透光区设置;摄像头向显示面板的正投影位于第一透光区内;显示面板包括依次堆叠设置的衬底层、薄膜晶体管器件层、有机发光二极管器件层;薄膜晶体管器件层包括多个薄膜晶体管,有机发光二极管器件层包括多个有机发光二极管;第一透光区中的衬底层的厚度为d1,第一透光区以外的衬底层的厚度为d2,d1<d2。
本发明还提供了一种显示装置的制造方法,包括:形成显示面板;显示面板包括显示区、围绕显示区的非显示区、第一透光区,显示区围绕第一透光区设置;装配摄像头;摄像头的镜头朝向显示面板的方向设置;摄像头向显示面板的正投影位于第一透光区内;
形成显示面板包括:提供第一基板;第一基板的第一表面包括凸起部;形成衬底层,衬底层覆盖在第一基板的第一表面;形成薄膜晶体管器件层,薄膜晶体管器件层包括多个薄膜晶体管;形成有机发光二极管器件层,有机发光二极管器件层包括多个有机发光二极管;分离衬底层和第一基板;衬底层在凸起部对应的位置形成凹槽部,凹槽部位于第一透光区中,第一透光区中的衬底层的厚度为d1,第一透光区以外的衬底层的厚度为d2,d1<d2。
本发明提供了另一种显示装置的制造方法,包括:形成显示面板;显示面板包括显示区、围绕显示区的非显示区、第一透光区,显示区围绕第一透光区设置;装配摄像头;摄像头的镜头朝向显示面板的方向设置;摄像头向显示面板的正投影位于第一透光区内;
形成显示面板包括:提供第一基板;形成衬底层;图案化衬底层,形成凹槽部,凹槽部位于第一透光区中,第一透光区中的衬底层的厚度为d1,第一透光区以外的衬底层的厚度为d2,d1<d2;形成缓冲层,缓冲层至少填充部分凹槽部;形成薄膜晶体管器件层,薄膜晶体管器件层包括多个薄膜晶体管;形成有机发光二极管器件层,有机发光二极管器件层包括多个有机发光二极管;分离第一基板和衬底层。
与现有技术相比,本发明提供的显示装置和显示装置的制造方法,至少实现了如下的有益效果:
本发明提供的显示装置和显示装置的制造方法中,在显示面板的显示区中设置了第一透光区,摄像头向显示面板的正投影位于第一透光区中。第一透光区中可以透过光线以满足摄像头的摄像功能,并且,将第一透光区中的衬底层的厚度减薄,可以提高第一透光区中衬底层的光线透过率。相对于现有技术,无需将显示面板设置为特殊的形状以避开摄像头所在的区域,有利于提高屏占比,提升用户体验。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的