[发明专利]存储器装置及其操作方法

权利要求书

1.一种存储器装置的操作方法，该存储器装置的一存储器阵列包括多条字线与多条位线，该存储器装置的操作方法包括：

施加一写入电压到这些字线的至少一被选字线；以及

于该写入电压的一高电平时期内，根据这些位线中的被写入数据0的多条被选位线在该至少一被选字线的各个位置，施加不同的多个位线电压至被写入数据0的这些被选位线；

其中，所述不同的多个位线电压包含多个不同波形；

在产生所述不同的多个位线电压时，施加具有一最早与一最高电平的位线电压波形至所述多个被选位线中的多个第一被选位线，施加具有一第二早与一第二高电平的位线电压波形至所述多个被选位线中的多个第二被选位线，这些第一被选位线较这些第二被选位线靠近这些字线的一起端。

2.如权利要求1所述的存储器装置的操作方法，其中，

于该写入电压的该高电平时期内，分别施加一第一位线电压与一第二位线电压至这些第一与这些第二被选位线。

3.一种存储器装置的操作方法，该存储器装置的一存储器阵列包括多条字线与多条位线，这些位线依据在这些字线的多个各个位置被分成多个位线群组，该存储器装置的操作方法包括：

施加一写入电压到这些字线的至少一被选字线；以及

于该写入电压的一高电平时期内，施加不同的多个位线电压至这些被选位线群组，

其中，所述不同的多个位线电压包含多个不同波形；

于这些被选位线群组中，一第一位线群组最靠近这些字线的一起端，

施加具有一最早与一最高电平的位线电压波形至所述第一被选位线群组。

4.如权利要求3所述的存储器装置的操作方法，其中，

于这些位线群组中，一第一位线群组较一第二位线群组靠近这些字线的一起端，以及

于该写入电压的该高电平时期内，分别施加一第一位线电压与一第二位线电压至该第一位线群组与该第二位线群组。

5.如权利要求3所述的存储器装置的操作方法，其中，

各位线群组包括相同数量的位线。

6.如权利要求3所述的存储器装置的操作方法，其中，

各位线群组包括不同数量的位线。

7.如权利要求3所述的存储器装置的操作方法，其中，

于该写入电压的该高电平时期内，施加至这些位线群组的这些位线电压的各个高电平均匀分布于一电压源至一低电平之间。

8.如权利要求3所述的存储器装置的操作方法，其中，

于该写入电压的该高电平时期内，施加至这些位线群组的这些位线电压的各个高电平未均匀分布于一电压源至一低电平之间。

9.一种存储器装置，包括：

一存储器阵列，包括多条字线与多条位线；

一控制电路，耦接至该存储器阵列，以及

一操作电压产生电路，耦接至该存储器阵列与该控制电路，该操作电压产生电路产生一写入电压至该存储器阵列的至少一被选字线，

其中，在陔控制电路的控制下，于该写入电压的一高电平时期内，根据这些位线中的被写入数据0的多条被选位线在该至少一被选字线的多个各个位置，该操作电压产生电路施加不同的多个位线电压至被写入数据0的这些被选位线；

其中，所述不同的多个位线电压包含多个不同波形；

在产生所述不同的多个位线电压时，施加具有一最早与一最高电平的位线电压波形至所述多个被选位线中的多个第一被选位线，这些第一被选位线最靠近这些字线的一起端。

10.如权利要求9所述的存储器装置，其中，

于该写入电压的该高电平时期内，该操作电压产生电路分别施加一第一位线电压与一第二位线电压至这些第一与这些第二被选位线。