[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域；

所述第一区域具有第一鳍部，第二区域具有第二鳍部；

采用外延工艺在所述第一鳍部表面形成第一掺杂层，所述第一掺杂层内有第一掺杂离子；

进行第一退火处理，使所述第一掺杂层中的掺杂离子扩散进入第一鳍部；

采用沉积工艺在所述第二鳍部表面形成第二掺杂层，所述第二掺杂层内有第二掺杂离子；

进行第二退火处理，使所述第二掺杂层中的掺杂离子扩散进入第二鳍部；

所述第一掺杂层和所述第二掺杂层的形成步骤包括：在所述第一鳍部顶部和侧壁以及第二鳍部侧壁和顶部上形成保护层；去除第一鳍部侧壁和顶部上的保护层；去除第一鳍部侧壁和顶部上的保护层后，在第一鳍部侧壁和顶部上形成第一掺杂层；对所述第一掺杂层进行氧化处理，形成第一氧化层，所述第一氧化层作为掩膜层保护第一鳍部；形成第一氧化层后去除第二鳍部表面的保护层；去除第二鳍部表面的保护层后在第一掺杂层和第二鳍部侧壁和顶部表面形成第二掺杂层。

2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括:在第一退火处理和第二退火处理之后，去除所述第一掺杂层和第二掺杂层。

3.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一掺杂离子和第二掺杂离子为阈值电压调节离子。

4.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述第一掺杂层的工艺包括外延生长工艺；在第一掺杂层内掺杂第一掺杂离子的工艺为原位掺杂工艺。

5.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述第二掺杂层的工艺包括化学气相沉积工艺、物理气相沉积工艺或原子层沉积工艺；在第二掺杂层内掺杂第二掺杂离子的工艺为原位掺杂工艺。

6.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，当所述第一区域用于形成P型器件，第二区域形成N型器件时，所述第一鳍部的材料包括：硅、锗或硅锗；所述第一掺杂层的材料包括硅、硅锗；所述第一掺杂离子为P型离子，包括磷离子或砷离子；所述第二鳍部的材料包括：硅、砷化镓或铟镓砷；所述第二掺杂层的材料包括氧化硅、氮化硅；所述第二掺杂离子为N型离子，包括硼离子、BF^2-离子或铟离子。

7.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，当所述第一区域用于形成N型器件时，第二区域形成P型器件时，所述第一鳍部的材料包括：硅、砷化镓或铟镓砷；所述第一掺杂层的材料包括硅、硅锗；所述第一掺杂离子为P型离子，包括磷离子或砷离子；所述第二鳍部的材料包括：硅、锗或硅锗；所述第二掺杂层的材料包括氧化硅、氮化硅；所述第二掺杂离子为N型离子，包括硼离子、BF^2-离子或铟离子。

8.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料包括：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、碳氮化硅或碳氮氧化硅；所述保护层的厚度为20埃～50埃；所述保护层的形成工艺包括：化学气相沉积工艺、物理气相沉积工艺或原子层沉积工艺。

9.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：在形成所述第一掺杂层和第二掺杂层之前，在所述衬底上形成隔离层，所述隔离层覆盖第一鳍部的部分侧壁和第二鳍部的部分侧壁。

10.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：在形成所述第一掺杂层和第二掺杂层之后，去除所述第一掺杂层和第二掺杂层之前，在所述衬底上形成隔离层，所述隔离层覆盖第一鳍部的部分侧壁和第二鳍部的部分侧壁。

11.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：在去除所述第一掺杂层和第二掺杂层之后，在所述衬底上形成隔离层，所述隔离层覆盖第一鳍部的部分侧壁和第二鳍部的部分侧壁。