[发明专利]异常探测装置在审
申请号: | 201711104606.X | 申请日: | 2017-11-10 |
公开(公告)号: | CN108074832A | 公开(公告)日: | 2018-05-25 |
发明(设计)人: | 小山典昭;庄司和史;宫崎太克 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体制造装置 异常探测装置 监视 日志 周期收集 短期间 判定部 运算部 保存 判定 检测 | ||
提供一种能够检测短期间内发生的微小的变化来预知异常的异常探测装置。一个实施方式的异常探测装置具有:收集部,其以规定的周期收集表示半导体制造装置的各部的状态的状态信息;保存部,其按规定的单位保存由所述收集部收集到的所述状态信息来作为日志;运算部,其基于所述日志来生成用于对所述半导体制造装置的各部的状态进行监视的监视带;以及判定部,其基于所述状态信息和所述监视带来判定所述半导体制造装置的各部的状态是否异常。
技术领域
本发明涉及一种异常探测装置。
背景技术
当长期运用半导体制造装置时,由于部件的消耗或劣化、在工艺处理中产生的副产物的蓄积导致的腔室内环境的变化、所供给的气体或冷却水等的实用环境的变化、突发性的部件故障等各种要因而工艺的再现性下降。这些情形的发生频率根据装置的运用状况不同而不同,存在易于预测的情形和难以预测的情形。
对于易于预测的情形,通过定期维护来进行消耗部件的更换、调整,能够进行预防维护的应对。另一方面,对于难以预测的情形,难以通过定期维护来进行应对。
因此,以往,以规定期间、例如工艺所包含的步骤为单位将在工艺处理的执行中由各种传感器输出的输出值转换为平均值、最大值、最小值等代表值,使用代表值来对长期趋势进行监视(例如,参照专利文献1)。
专利文献1:日本特开2015-37086号公报
发明内容
然而,在以往的方法中,对将各种传感器输出的输出值转换为代表值所得到的值进行监视,并不是直接对输出值本身进行监视,因此难以检测短期间内发生的微小的变化来预知异常。另外,用户手动输入带(band)。因此,还存在运用时耗费时间和劳力而难以实施这样的问题。
因此,在本发明的一个方式中,其目的在于,提供一种能够检测短期间内发生的微小的变化来预知异常的异常探测装置。
为了实现上述目的,本发明的一个方式所涉及的异常探测装置具有:收集部,其以规定的周期收集表示半导体制造装置的各部的状态的状态信息;保存部,其按规定的单位保存由所述收集部收集到的所述状态信息来作为日志;运算部,其基于所述日志来生成用于对所述半导体制造装置的各部的状态进行监视的监视带;以及判定部,其基于所述状态信息和所述监视带来判定所述半导体制造装置的各部的状态是否异常。
根据公开的异常探测装置,能够检测短期间内发生的微小的变化来预知异常。另外,由于能够自动制作带,因此能够削减制作带所需要的工时,从而能够减轻运用时的时间和劳力。
附图说明
图1是示出本发明的实施方式的半导体制造装置的整体结构图。
图2是用于说明装置控制器的框图。
图3是用于说明本发明的实施方式的异常探测处理的初期学习的流程图。
图4是用于说明初期学习的图。
图5是用于说明本发明的实施方式的异常探测处理的再学习的流程图。
图6是用于说明再学习的图。
图7是用于说明半导体制造装置的异常判定的一例的图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造