[发明专利]异常探测装置在审
申请号: | 201711104606.X | 申请日: | 2017-11-10 |
公开(公告)号: | CN108074832A | 公开(公告)日: | 2018-05-25 |
发明(设计)人: | 小山典昭;庄司和史;宫崎太克 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体制造装置 异常探测装置 监视 日志 周期收集 短期间 判定部 运算部 保存 判定 检测 | ||
1.一种异常探测装置,具有:
收集部,其以规定的周期收集表示半导体制造装置的各部的状态的状态信息;
保存部,其按规定的单位保存由所述收集部收集到的所述状态信息来作为日志;
运算部,其基于所述日志来生成用于对所述半导体制造装置的各部的状态进行监视的监视带;以及
判定部,其基于所述状态信息和所述监视带来判定所述半导体制造装置的各部的状态是否异常。
2.根据权利要求1所述的异常探测装置,其特征在于,
在由所述半导体制造装置进行的工艺处理结束之后,所述判定部参照所述保存部来判定是否存在规定个数以上的通过与所述工艺处理中使用的制程相同的制程执行的工艺处理的日志。
3.根据权利要求2所述的异常探测装置,其特征在于,
所述监视带包括以下监视带:在由所述判定部判定为存在规定个数以上的通过与所述工艺处理中使用的制程相同的制程执行的工艺处理的日志的情况下,使用所述保存部中保存的多个所述日志来与所述制程相对应地生成的监视带。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的异常探测装置,其特征在于,
在所述半导体制造装置开始进行工艺处理时,所述判定部参照所述保存部来判定是否存在与所述工艺处理中使用的制程相对应的监视带,
在存在与所述工艺处理中使用的制程相对应的监视带的情况下,所述判定部基于所述工艺处理的日志和与所述工艺处理中使用的制程相对应的监视带,来判定所述半导体制造装置的各部的状态是否异常。
5.根据权利要求4所述的异常探测装置,其特征在于,
在所述判定部判定为所述半导体制造装置的各部的状态没有发生异常的情况下,所述运算部基于所述工艺处理的日志和与所述工艺处理中使用的制程相对应的所述监视带来生成新的监视带。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的异常探测装置,其特征在于,具有显示部,在所述判定部判定为所述半导体制造装置的各部的状态异常的情况下,该显示部显示所述半导体制造装置异常。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的异常探测装置,其特征在于,所述监视带是基于按所述规定的周期设定的上限值和下限值通过进行插值来计算的波形。
8.根据权利要求1至7中的任一项所述的异常探测装置,其特征在于,所述规定的单位是制程单位。
9.根据权利要求1至7中的任一项所述的异常探测装置,其特征在于,所述规定的单位是将制程细分化得到的步骤单位。
10.根据权利要求1至9中的任一项所述的异常探测装置,其特征在于,所述状态信息是包含所述半导体制造装置的各部的温度、压力、气体流量、电力的信息。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造