[发明专利]具奈米金属阵列的可挠式触控感测器及其制作方法

说明书

技术领域

本发明关于触控感测器领域，特别是指一种于氧化铟锡薄膜(ITO)表面上制作奈米等级点阵均匀分布的金属阵列，改善耐弯性质的可挠式触控感测器。

背景技术

随着电子产品向轻型化、小型化、集成化方向的不断发展，可弯曲甚至可穿戴的柔性电子元器件正在日益成为科学研究和制造技术研发的热点。柔性透明导电膜由于具有重量轻、柔性好、抗冲击、成本低、可进行各种形状或表面设计等优点，便于应用与轻便，可移动的户外设备中，具有更强的竞争力，被广泛用于柔性显示屏、触摸屏、电致变色薄膜、薄膜太阳能电池等产品中。

在显示屏幕中，透明氧化铟锡(ITO)导电膜因其优异的光电特性发挥着重要的作用，即便铟为稀有元素，地球含量低(0.05ppm)，使透明氧化铟锡的制造成本较高，但透明氧化铟锡仍是目前业界做为触控感测器电极材料的主流产品。

然而，由于透明氧化铟锡属于陶瓷材料，易破碎不耐弯折，其膜层的表面电阻将随着弯折次数而明显的提升，根据实验室的弯曲实验，透明氧化铟锡在弯曲直径小于5毫米(mm)时，在弯折处就会出现龟裂导致电性异常现象，因此限制了产品的设计与制程良率风险。

发明内容

本发明的目的在于改善一般氧化铟锡薄膜弯曲直径小于5毫米(mm)时，在弯折处就会出现龟裂导致电性异常现象。

为了达到上述目的，本发明系采取以下之技术手段予以达成，其中，本发明提供一种具奈米金属阵列的可挠式触控感测器制作方法，包括下列步骤：a提供一氧化铟锡薄膜以及一奈米球溶液，该奈米球溶液包括一液体以及奈米等级的复数个球体分子。b将该奈米球溶液涂布于该氧化铟锡薄膜的一表面上。c使该等球体分子自组装排列并附着于该表面形成一遮罩层。d利用该遮罩层的孔隙于该表面形成一金属阵列。e移除该遮罩层。f于该氧化铟锡薄膜上制作导电线路。

在本发明一实施例中，其中该步骤b更包括：控制该液体的高度低于该球体分子的直径。

在本发明一实施例中，其中该遮罩层仅由一层该等球体分子紧密排列组成。

在本发明一实施例中，其中该步骤d更包括：该金属阵列是利用溅镀或电镀方式形成于该表面。

在本发明一实施例中，其中步骤d更包括：该金属阵列由点阵均匀分布的复数个三角锥金属点所构成。

在本发明一实施例中，其中该步骤e更包括：利用一溶剂针对该表面进行清洗以移除该遮罩层。

本发明还提供一种利用上述方法制作的可挠式触控感测器，包括：一氧化铟锡薄膜以及一金属阵列，该氧化铟锡薄膜设置有触控电极走线。该金属阵列形成于该氧化铟锡薄膜一表面，该金属阵列包括点阵均匀分布于该表面上的复数个三角锥状金属点。其中，该三角锥状金属点的底面直径小于400奈米。

在本发明一实施例中，该金属阵列是透过溅镀或电镀金属方式形成于该氧化铟锡薄膜的表面。

在本发明一实施例中，该金属阵列为金、银或铜材质金属。

在本发明一实施例中，该三角锥状金属点之间的间距大于760奈米，且三角锥状金属点的高度介于60奈米至70奈米之间。

附图说明

图1为本发明具奈米金属阵列的可挠式触控感测器及其制作方法之方法流程图；

图2为本发明具奈米金属阵列的可挠式触控感测器及其制作方法之球体分子自组装排列示意图；

图3为本发明具奈米金属阵列的可挠式触控感测器及其制作方法之遮罩层示意图；

图4为本发明具奈米金属阵列的可挠式触控感测器及其制作方法之金属阵列形成示意图；

图5A及5B为本发明具奈米金属阵列的可挠式触控感测器及其制作方法之可挠式触控感测器示意图及俯视图；

图6为本发明具奈米金属阵列的可挠式触控感测器及其制作方法之可挠式触控感测器弯折示意图。

附图标号说明：

氧化铟锡薄膜 1

表面 11

奈米球溶液 2

液体 21

球体分子 22

遮罩层 3

金属阵列 4

三角锥状金属点 41

基板 5

导电线路 6

保护盖板 7

直径 R

步骤 100～150

具体实施方式

为达成上述目的及功效，本发明所采用之技术手段及构造，兹绘图就本发明较佳实施例详加说明其特征与功能如下，俾利完全了解，但须注意的是，该等内容不构成本发明的限定。