[发明专利]低泄漏隔离单元在审

专利信息
申请号: 201711101171.3 申请日: 2017-11-09
公开(公告)号: CN109768795A 公开(公告)日: 2019-05-17
发明(设计)人: 王沛东;檀苗林;戈喆 申请(专利权)人: 恩智浦美国有限公司
主分类号: H03K19/0185 分类号: H03K19/0185
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 杨静
地址: 美国德*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 电源域 隔离单元 器件连接 电路 泄漏电流 低泄漏 减小 箝位 断电 供电
【权利要求书】:

1.一种用于连接在第一电路模块与第二电路模块之间的隔离单元,其中第一电路模块与第二电路模块包括不同的电源域,其特征在于,所述隔离单元包括:

配置为由所述第一电路模块接收输入信号的输入端;

配置为向第二电路模块提供输出信号的输出端;

配置为接收控制信号的控制端,其中所述隔离单元响应于所述控制信号而由所述输入信号生成所述输出信号;

用于耦合到所述第一电路模块的第一供电电压的第一电源端;以及

用于耦合到所述第二电路模块的第二供电电压的第二电源端。

2.如权利要求1所述的隔离单元,其特征在于,进一步包括:

第一反相器,其具有耦合到所述控制端以接收所述控制信号的输入端,其中所述第一反相器耦合到所述第一电源端以由第一供电电压供电;以及

第二反相器,其具有耦合到所述输出端以向其提供所述输出信号的输出端,其中所述第二反相器由第一供电电压供电。

3.如权利要求1所述的隔离单元,其特征在于,进一步包括:

第一PMOS晶体管,其具有耦合到所述输入端的栅极、耦合到所述第一电源端的源极、以及漏极;

第二PMOS晶体管,其具有耦合到所述控制端的栅极、耦合到所述第一PMOS晶体管的漏极的源极、以及漏极;

第一NMOS晶体管,其具有耦合到所述输入端的栅极、耦合到所述第二PMOS晶体管的漏极的漏极、以及源极;

第二NMOS晶体管,其具有耦合到所述控制端的栅极、耦合到所述第二PMOS晶体管和所述第一NMOS晶体管的漏极的漏极、以及源极;以及

耦合到所述第二电源端以接收所述第二电路模块的所述第二供电电压的反相器,所述反相器具有耦合到所述第二PMOS晶体管、所述第一NMOS晶体管、所述第二NMOS晶体管的漏极之间的节点的输入端;以及具有作为所述隔离单元的所述输出端的输出端;

其中所述隔离单元响应于所述控制端上的所述控制信号而在所述输出端上提供逻辑1的信号。

4.如权利要求1所述的隔离单元,其特征在于,进一步包括:

串联连接的第一输入反相器和第二输入反相器,其中所述第一输入反相器耦合到所述控制端以接收所述控制信号、并耦合到所述第一电源端以接收所述第一电路模块的所述第一供电电压,所述第二输入反相器耦合到所述第二电源端以接收所述第二电路模块的所述第二供电电压;

三态门,其具有用于接收所述输入信号的输入端,以及具有分别耦合到所述第一、第二输入反相器的输出端的两个门控端,其中所述三态门耦合到所述第一电源端以接收所述第一电路模块的所述第一供电电压;

锁存器,其耦合到所述第二电源端以接收所述第二电路模块的第二供电电压,其中所述锁存器具有耦合到所述三态门的输出端的输入端;以及

输出反相器,其耦合到所述第二电源端,其中所述输出反相器具有与所述锁存器的输出端相耦合的输入端、以及连接到所述隔离单元的所述输出端的输入端,以提供所述输出信号;

其中,所述隔离单元响应于所述控制信号而在所述隔离单元的所述输出端提供所述输入信号的经保持信号。

5.一种箝位从第一电源域至第二电源域的输入信号的方法,其特征在于,所述第一电源域运行于第一供电电压、所述第二电源域运行于不同于所述第一供电电压的第二供电电压,所述方法包括:

在输入端接收来自所述第一电源域的输入信号;

在控制端接收控制信号;

提供接收所述输入信号和所述控制信号、并响应于所述输入信号和所述控制信号而生成逻辑信号的至少一个逻辑门;

提供具有接收所述逻辑信号的输入端和具有提供输出信号的输出端的输出反相器;以及

配置所述至少一个逻辑门以及所述输出反相器,使所述至少一个逻辑门和所述输出反相器中的一者用于耦合到所述第一供电电压、另一者用于耦合到所述第二供电电压。

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