[发明专利]低功耗反馈型功率放大电路

权利要求书

1.一种低功耗反馈型功率放大电路，其特征在于，包括输入匹配网络(IMN)、功率单元(Q)、偏置网络(BN)、反馈网络(FN)、限流旁路单元(LB)、输出匹配网络(OMN)以及射频扼流圈(RFC)，其中，

所述输入匹配网络(IMN)电连接至所述功率单元(Q)的基极，所述功率单元(Q)的集电极分别电连接至所述输出匹配网络(OMN)和所述射频扼流圈(RFC)；

所述功率单元(Q)的集电极还电连接至所述反馈网络(FN)的第一输入端；所述反馈网络(FN)的输出端分别电连接至所述功率单元(Q)的基极和所述限流旁路单元(LB)；

所述偏置网络(BN)电连接至所述反馈网络(FN)的第二输入端；

所述输入匹配网络(IMN)包括第一电容(C₁)、第二电容(C₂)和第一微带线(TL₁)，其中，所述第一电容(C₁)和所述第一微带线(TL₁)依次串接于所述放大电路的输入端(RFin)和所述功率单元(Q)的基极之间，所述第二电容(C₂)连接于所述第一电容(C₁)和所述第一微带线(TL₁)的连接节点与接地端(GND)之间；

所述功率单元(Q)包括互相并联的第一晶体管(Q₁)、第二晶体管(Q₂)和第三晶体管(Q₃)，所述第一晶体管(Q₁)、所述第二晶体管(Q₂)和所述第三晶体管(Q₃)的基极相连形成的节点构成所述功率单元(Q)的基极；所述第一晶体管(Q₁)、所述第二晶体管(Q₂)和所述第三晶体管(Q₃)的集电极相连形成的节点构成所述功率单元(Q)的集电极；所述第一晶体管(Q₁)、所述第二晶体管(Q₂)和所述第三晶体管(Q₃)的发射极均与接地端(GND)连接。

2.根据权利要求1所述的低功耗反馈型功率放大电路，其特征在于，所述反馈网络(FN)包括相互串联的第一电阻(R_F1)和第二电阻(R_F2)；其中，所述第一电阻(R_F1)的第一端为所述反馈网络(FN)的第一输入端，电连接至所述功率单元(Q)的集电极，所述第二电阻(R_F2)的第二端为输出端，分别电连接至所述功率单元(Q)的基极和所述限流旁路单元(LB)；

所述偏置网络(BN)电连接至所述第一电阻(R_F1)和所述第二电阻(R_F2)的连接节点构成的所述反馈网络(FN)的第二输入端。

3.根据权利要求2所述的低功耗反馈型功率放大电路，其特征在于，所述偏置网络(BN)包括第四晶体管(Q_B1)、第五晶体管(Q_B2)、第六晶体管(Q_B3)、调节电阻(R_reg)和旁路电容(C_BP)，其中，所述调节电阻(R_reg)、所述第五晶体管(Q_B2)和所述第四晶体管(Q_B1)依次串接于电源端(VDD)与接地端(GND)之间，所述第四晶体管(Q_B1)的基极与集电极连接，所述第五晶体管(Q_B2)的基极与集电极连接，所述第五晶体管(Q_B2)的集电极还分别电连接至所述旁路电容(C_BP)和所述第六晶体管(Q_B3)的基极；

所述第六晶体管(Q_B3)的集电极电连接至所述电源端(VDD)与所述调节电阻(R_reg)的连接节点处，所述第六晶体管(Q_B3)的发射极电连接至所述反馈网络(FN)的第二输入端。